局部应变对低维半导体材料的性质发调制论文.docx

研究生优秀毕业论文 西南交通大学学位论文版权使用授权书 西南交通大学 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关 部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权西南交通大学可 以将本论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复印 手段保存和汇编本学位论文。 本学位论文属于 1．保密口，在 年解密后适用本授权书； 2．不保耐使用本授权书。 (请在以上方框内打“、／”) 日期：加心S．猡 万方数据 西南交通大学 西南交通大学 硕士学位论文主要工作(贡献)声明 本人在学位论文中所做的主要工作或贡献如下： 1．利用“循环替代法”对纳米线(Si、Ge为例)施加表面应变，借助DFT总能 优化，构建合理的包含应变表面的模型。 2．用总能计算来探讨一维Si、Ge纳米线和二维TaS2片层在应变之下的结构稳定 性，即利用GGA．PBE研究其电学、磁学的性质。 3．深入揭示了不同程度的应变对纳米材料的结构和电学、磁学性质的调制作用， 对实验提供了一定的指导性建议。 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是在导师指导下独立进行研究工作所得的成 果。除文中已经注明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或集体已经发表 或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在文中作了明 确说明。本人完全了解违反上述声明所引起的一切法律责任将由本人承担。 学位论文作者签名： 日期：加l舜i-月订Ft 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第1页一 捅 要 近年来，低维材料因其独特的物理化学性质而得到了普遍的关注和深入的研 究，在实验中已被广泛地用于制作接近原子尺寸的器件。理论指导使得传统的量 子器件持续小型化。加上异质界面或局域形变无处不在缘故，低维材料的局部应 变(如表面应变)具有普遍性。到目前为止，关于低维材料的局部应变的细节尚 有许多不清楚之处，在本工作中，我们用第一性原理的计算方法，研究包含应变 的一维Si／Ge纳米线和二维层状(单层和双层)T态TaS2的结构及相关电学性质。 我们分别用“循环替代”引起表面局域形变的方法和改变晶格常数的方法向两体 系模拟施加应变。当在l 12方向Si纳米线(1 11)表面施加应变时，发现只有在很 大的压缩形变之下才会出现带隙减小的结果，而拉伸应变则一直会使带隙减小， 并且出现明显的间接向直接带隙的转换。并且在应力之下出现了价带和导带的空 间分离，压力使得价带顶局域在压缩表面上；而拉伸力则引起导带底局域在拉伸 形变表面上。对于Ge纳米线来说，发现当施加压缩应变时，带隙几乎没有发生 改变，这意味着在Ge／Si核壳结构的材料中，Ge的电学性质几乎保持不变，为了 验证该结论，我们做了Ge纳米线在应力应变下结构测试，发现键长和键角随应 力是均匀变化的，即处于弹性形变中，保证了结果的合理性；应变与应变能呈二 次函数关系，说明体系能量不受尺寸大小影响。另一方面拉伸应变则能够有效的 使带隙减小，并致使价带项和导带底在空间发生了分离。接着我们研究了二维的 T态TaS2在应变下的性质变化，发现T态TaS2的电荷密度波被改变：它的单双层 体系的电荷密度波在压缩应变之下减弱而在拉伸应变下增强。单层的TaS2是自旋 轨道分裂的。但在大约3％的应变之下，其中一个自旋态能带的带隙减d,No eV， 而另一个自旋态能带则保持有限的带隙，整体表现出了半金属的性质。我们进一 步研究两个单层TaS2形成双层结构时的情况，得出了在费米面之上和之下均出现 局域电子态，为无磁性的半导体的结果。同时其带隙在拉伸应变比在压缩应变下 减小的更快，在拉伸应变下出现半导体向金属的转换。本研究为稳固或调整Si／Ge 纳米线和片层TaS2的相关性质的方法探究提供了一个可行性的路线，为未来寻找 和设计稳定且高效率的纳米器件提供了一个可能的有效方法。 关键词：第一性原理计算；应力；调整；硅锗纳米线；1T．TaS2纳米片层；电荷 密度波 万方数据 西南交通大学硕士研究生学位论文 西南交通大学硕士研究生学位论文 第1I页一 Abstract Local strain is ubiquitous in nanomaterials due to heterointerface or local deformations while the details remain unclear．In this work，first—principles calculations are performed to investigate the structural and electronic properties of Si／Ge nanow