【材料课件】14表但面分析方法.ppt

第十四章 表面分析方法概论 概述 X光电子能谱 俄歇电子能谱 扫描隧道显微镜(STM)与原子力显微镜(AFM) 14.1 概述 表面科学的主要发展始于20世纪60年代，它的两个最主要的条件是： 超高真空技术的发展 各种表面灵敏的分析技术不断出现 表面分析技术的发展与材料科学的发展密切相关，它们相互促进： 八十年代，扫描探针显微镜（SPM)的出现使（材料）表面科学的研究发生了一个飞跃； LEED所用的LaB6灯丝，STM中用来防振荡的氟化橡胶（Viton)，AFM所用的探针等都是材料科学发展的新产物。 “表面”的概念 过去，人们认为固体的表面和体内是完全相同的，以为研究它的整体性质就可以知道它的表面性质，但是，许多实验证明这种看法是错误的； 关于“表面”的概念也有一个发展过程，过去将1厚度看成“表面”，而现在已把1 个或几个原子层厚度称为“表面”，更厚一点则称为“表层”。 表面分析方法的特点 用一束“粒子”或某种手段作为探针来探测样品表面，探针可以是电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、热或声波（机械力），在探针作用下，从样品表面发射或散射粒子或波，它们可以是电子、离子、光子、中性粒子、电场、磁场、热或声波。检测这些发射粒子的能量、动量、荷质比、束流强度等特征，或波的频率、方向、强度、偏振等情况，就可获得有关表面的信息。 表中仅列出了探测粒子为电子和光子的常用表面分析方法，此外还有离子、中性粒子、电场、热、声波等各种探测手段。这些方法各有其特点，而没有万能的方法，针对具体情况，我们可以选择其中一种或综合多种方法来分析。 14.2 X射线光电子能谱（XPS） 一、基本原理 X射线与物质相互作用时，物质吸收了X射线的能量并使原子中内层电子脱离原子成为自由电子，即X光电子，如图1－1。 对于气体分子，X射线能量h?用于三部分： 一部分用于克服电子的结合能Eb，使其激发为自由的光电子； 一部分转移至光电子使其具有一定的动能Ek； 一部分成为原子的反冲能Er。 则 h?＝ Eb＋ Ek ＋ Er 对于固体样品，X射线能量用于： 内层电子跃迁到费米能级，即克服该电子的结合能Eb； 电子由费米能级进入真空成为静止电子，即克服功函数? ； 自由电子的动能Ek 。 则 h?＝ Eb＋ Ek ＋ ? 当样品置于仪器中的样品架上时，样品与仪器样品架材料之间将产生接触电势 ，这是由于二者的功函数不同所致，若??，则： 此电势将加速电子的运动，使自由电子的动能从Ek增加到Ek Ek ＋ ?＝ Ek ＋ ? h?＝ Eb＋ Ek ＋ ? Eb ＝ h? －Ek － ? 式中?‘是仪器的功函数，是一定值，约为4eV， h?为实验时选用的X射线能量为已知，通过精确测量光电子的动能Ek’ ，即能计算出Eb 。 各种原子、分子轨道的电子结合能是一定的，据此可鉴别各种原子和分子，即可进行定性分析。 光电子能谱的谱线常以被激发电子所在能级来表示，如K层激发出来的电子称为1s光电子，L层激发出来的光电子分别记为2s,2p1/2,2p3/2电子等等。表列出了光电子能谱中常用的标准谱线。 X射线光电子能谱的有效探测深度，对于金属和金属氧化物是0.5～2.5nm,对有机物和聚合材料一般是4～10nm。 二、XPS的应用 化学分析 元素成份分析：可测定除氢以外的全部元素，对物质的状态没有选择，样品需要量很少，可少至10-8 g，而灵敏度可高达10-18 g，相对精度有1％，因此特别适于作痕量元素的分析； 元素的定量分析：从光电子能谱测得的信号是该物质含量或相应浓度的函数，在谱图上它表示为光电子峰的面积。目前虽有几种XPS定量分析的模型，但影响定量分析的因素相当复杂。 表面污染分析 由于对各个元素在XPS中都会有各自的特征光谱，如果表面存在C、O或其它污染物质，会在所分析的物质XPS光谱中显示出来，加上XPS表面灵敏性，就可以对表面清洁程度有个大致的了解； 如图是Zr样品的XPS图谱，可以看出表面存在C、O、Ar等杂质污染。 化学位移上的应用 不同的化学环境导致核外层电子结合能的不同，这在XPS中表现为谱峰的变化，通过测量谱峰位置的移动多少及结合半峰宽，可以估计其氧化态及配位原子数； 如图是Cu的XPS光电子能谱图，显示了不同氧化态Cu的谱峰精细结构，可以看出，不同氧化态的铜，其谱峰位置、形状及半峰宽都有明显的变化。 14.3 俄歇电子能谱（AES) 电子跃迁过程 原子的内层电子被击出后，处于激发态的原子恢复到基态有两种互相竞争的过程：1）发射X射线荧光，2）发射俄歇电子； 俄歇电子发射过程：原子内层电子空位被较外层电子填入时，多余的能量以无辐射弛豫传给另一个电子，并使之