磁控溅射法制备二氧化钒薄膜及其性能表征.pdfVIP

第38卷 簇4期 稀有念藏材料每王程 V01．38，NoA 2009芷 4秀 RAREMETALMATERIALSANDENGINEERING 2009 April 磁控溅射法制备二氧化钒薄膜及其性能表征 韩宾，赵青南，杨晓东，赵修建 (武汉理工大学硅酸盐材料工程教宵部重点实验室，湖北斌汉430070) 籀薹：采霜砉|颓菠瘢磁控溅射滚在镀畜Si02貘煞镧镑麓玻璃基片上沉积了二裁纯铙(V02)薄貘。磷究了在300℃ 沉积温度下，不同溅射时问(5-35rain)对V02薄膜结构和性能的影响。用x射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、 紫外．可见光谱仪、双光柬红外分光光度计对薄膜结构、形貌、电学及光学性能进行了表征。结果表明：薄膜在低湿举 导体穗主簧蔽霆方糖精变金荭石绥梅存在，淼(011)方秘出现赘显撵优取袁生长，隧着溅射糖闯静延长，晶较生长憝 于完整，晶粒尺寸增大；对溅射时间为35min的薄膜热处理，发现从室温到90℃范围内，游膜方块电阻的变化接近3 个数量级；由于本征吸收，薄膜农可见光范围透过率较低，且随膜厚盼增加两逐渐降低；在1500--4000em‘波数范潮 内，琢能溯璧薄貘榉繇加燕莆螽(20帮SO℃)鲍荭舞反射率，发现发射率静交纯幅度随着貘厚增加霸孬撵高，最蹇掰 达59％。 关键词：二：氧化钒薄膜；磁控溅射；溅射时阍；最粒尺寸：膜厚 中图法分类号：TB43 文黻标识码：A 文辇编号：1002．185X(2009)04-0717．05 1958年，科学家Morin在炎尔实验室发现了氧化零l用磁控溅射铡餐V02薄膜、并皴了大量的研究王作， 钒的相变特性及电阻开关特性H】，从此拉开了大规模 但多数研究者为了追求较好的结晶状态以及相变前后 研究钒．氧体系的序幕。钒与氧能形成20多种氧化物， 具蠢13群不鼹的相，至少8种在一147～68℃戆发生半a-A1203箨必衬底材料【llq引，同时要求较蔑鲍沉积温度 导体一金属相交【2】。其中二氧化钒(V02)的相变温度(通常500℃左右)H引，并且对不同厚度下V02薄膜 为68℃。在该温度附近，V02的晶格结构由低温态的结构和性能变化的研究报道相对较少。 的单斜结构转交为四方的歪金红蠢结构。俘随着该一 本l爨究剩爱射频反应磁控溅射法，先在普遴镳钙 级相交的发生，材料的电阻率发生4～5个数繁级的突 硅玻璃上沉积一层Si02膜作为玻璃中Na+扩散阻挡 变，同时还伴随着明显的光学透过率的突变，特别是 层，然后再在上面沉积V02薄膜。在相对较低的沉积 经外波段的透过率将耄蹇变低，甚至不透过。其孛壶 湿度-F(300℃志右)，滋较7不霆溅射时阗沉积的 予V02多晶薄膜能克服单晶V02多次温度循环后容易VO：薄膜的结构和性能，对得到的结果进行了讨论。 开裂的缺点，因此成为了一种理想的光电材料，并广 1 实验 泛疲惩予建筑物及汽举鳇智能窗(热致变色玻璃)131、红 外光电开关及非制冷性纽外测辐射热计【4j等。特别是 使用国产JGC．40单靶磁控溅射镀膜设备，先在 普通载玻片(38mmX25 通过掺入W和F等物质还能进一步降低V02的相变 ram)上制备一层Si02薄膜， 漫度【5一，使英更接近室滋，这使褥智麓窗酶应尾更趋 然后在Si02貘上射频反应溅射沉积V02薄貘。 于现实。智能窗的应用主要是通过在较大面积玻璃上 沉积V02薄膜来实现的。制备V02薄膜的工芝方法有 和02(99．999％)分别作为溅射气体和反应气体，触流 缀多辩，主要分隽：磁控溅射l朝，赫沸激先沉积嘎真 量秀30 mL／min。本底真空小于