石墨烯止著名的组简报.pptVIP

固定成员 三。在石墨烯的应用方面，该实验室有研究人员在石墨烯宏量制备的基础上，开展了石墨烯在场发射体、超级电容器、锂离子电池和透明导电膜等方面的应用探索。 四。Pt作基底CVD法制备石墨烯，鼓泡法无损转移 成会明等采用贵金属铂生长基体，以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法，成功制备出了毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。通过该研究组发明的电化学气体插层鼓泡法，可将铂上生长的石墨烯薄膜无损转移到任意基体上。 该方法操作简便、速度快、无污染，并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移，金属基体可重复使用，可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。 该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量，将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管，测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100 cm2 V-1 s-1。 金属基体上大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的多次重复生长，为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础 * 国内 比 较 好 的 石 墨 烯 课 题 组 α~成会明~任文才课题组 郭守武课题组 刘忠范~彭海林课题组 成永胜课题组 方英课题组 β~高鸿钧课题组 *** 高鸿钧课题组 一.在国际上率先在钌单晶Ru（0001）制备出高质量单晶石墨烯薄膜（Chin. Phys. 2007, 16, 3151，Adv. Mater. 21, 2777, 2009）。随后该组以石墨烯的摩尔条纹为模板，制备了单分散Pt纳米团簇的 (Appl. Phys. Lett.95, 093106, 2009)； Kagome分子阵列(J. Am. Chem. Soc. 131，14136, 2009) 。同时他们通过改变不同的基底金属单晶， 成功调控外延石墨烯与金属衬底的界面性质(Appl. Phys. Lett. 96,053109 (2010))。 CONTENTS CONTENTS CONTENTS CONTENTS 外延生长在金属钌表面的单层石墨烯的扫描隧道显微镜（STM）图像和电导曲线（STS）。 (a) 大面积的STM图像 (Ut = ?2.0 V, It = 100 pA) (b) 高分辨的STM图像 (c) 未占据态电导的色度。纵坐标为隧穿电压，横坐标对应图(b)中虚线所标的位置。图中颜色从蓝到红代表强度增加。图 (d)电导曲线dI/dV谱。 橙色和黑色曲线分别对应图(c)中x等于- 0.2 nm和2.0 nm的点。 CONTENTS 2 二.大面积高质量的单晶石墨烯和Si插层（Appl. Phys. Lett. 100, 093101 (2012)） 通过外延的方法，将半导体硅材料沉积到石墨烯的表面后，通过高温处理可以将硅材料插入到石墨烯与金属之间，形成石墨烯/半导体硅/金属的异质结构。这种方法避免了化学转移的步骤，避免了转移过程中引入缺陷和杂质，从而保证石墨烯的质量。由于采用了插层技术，使得石墨烯下面的硅基底具有原子级平整，并且不存在电荷杂质，避免了电荷杂质对于载流子输运过程中的长程散射，可以提高载流子的迁移率。与解理的石墨烯相比，金属钌单晶表面获得的石墨烯具有原子级平整，可以避免由于结构上的起伏而引入的杂散磁场的产生，使石墨烯更接近本征的状态。之后他们利用Raman等手段表征了获得石墨烯，证明了石墨烯的质量。 2 Graphene-Si-Ru插层示意图 CONTENTS CONTENTS CONTENTS CONTENTS 三.石墨烯做为缓冲层对功能分子本征电子结构的研究（Appl. Phys. Lett. 99, 153101 (2011)） 四.石墨烯与基底之间的插层研究 Appl. Phys. Lett.99,163107 (2011) 五.成功制备毫米级高度有序的、连续的、单晶的Graphene ( Chin. Phys. 16, 3151, 2007 ) ( Adv. Mater. 21, 2777, 2009 ) highlight by Nature China 六.石墨烯摩尔条纹模板上形成的Kagome分子阵列 (J. Am. Chem. Soc. 131(40), 14136–14137, 2009) highlight by Nature China 1图为钌表面外延生长的石墨烯表面的吸附分钟的分子轨道STM图像 CONTENTS CONTENTS CONTENTS CONTENTS CONTENTS 4 成功制备毫米级高度有序的、连续的、单晶的Graphene ( Chin. Phys. 16, 3151, 2007 ) ( Ad