集成电路晶圆测试基础.pptVIP

引言 集成电路按生产过程分类可归纳为前道测试和后到测试；集成电路测试技术员必须了解并熟悉测试对象—硅晶圆。 测试技术员应该了解硅片的几何尺寸形状、加工工艺流程、主要质量指标和基本检测方法； 硅片的制备与检测 硅是一种比较活泼的非金属元素，是晶体材料的重要组成部分，处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势，在地壳中含量达27%的硅元素，为单晶硅的生产提供了取之不尽的源泉。 非晶硅是一种直接能带半导体，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流，因而非晶硅可以做得很薄，还有制作成本低的优点． 2.1.1 硅片制备与检测 1.几何尺寸形状 硅片的几何形状为圆形薄片，圆硅片边缘有定位边（或称“参考面”），短的次定位边（次参考面）。 2.1.1 硅片制备与检测 通常，硅片的边缘会有倒角，不同直径的硅片有不同宽度的倒角。硅片很硬脆，在晶圆制造过程中，硅片边缘易破裂，会造成应力，产生碎屑，所以硅片必须倒角。 2.1.1 硅片制备与检测 2.加工工艺流程 硅片制备的加工工艺流程为：首先，把硅单晶棒进行整形处理，要去除两端；滚圆研磨到标准直径；定位面研磨；去除单晶表面损伤层。其次，以定位面为基准面进行切片，并做倒角、磨片。 然后对硅片腐蚀，以去除硅片表面损伤层，确保硅片具有高平整度和平行度的光滑表面，再对硅片抛光。 最后，把放有合格硅片的片架放入冲氮的密封传送盒之前，需对硅片进行超净态的清洗和质量校验。 2.1.1 硅片制备与检测 3.基本检测项目 硅片的主要质量要求如表 2.1.1 硅片制备与检测 4.基本检测方法 通常，检测硅片缺陷的方法是先对硅片进行选择性的化学/电化学腐蚀，再利用光学显微镜观察其表面微结构和缺陷，做缺陷性质判断和计数评估，这是一种常用的快速、低成本检测单晶硅片缺陷的方法。 2.1.2 半导体材料与特性 概述 Ge,只用于某些特殊器件和光电探测器，半导体级的纯锗成本比纯硅高10倍。 Si一直是半导体工业和集成电路的主材料，其不可替代性在于地球上Si元素及其丰富（占地壳27%），仅次于氧 2.1.2 半导体材料与特性 硅的基本特性 硅有若干特性，硅的导电性可以由掺杂来控制，常温下导电性主要由杂志来决定； 半导体的共价键结构 本征半导体、空穴及其导电作用 电子空穴对 杂质半导体 P型半导体（空穴型半导体） PN结的形成 PN结的单向导电性 2.2 晶圆 通过芯片制造工艺，在圆硅片上已经形成了芯片阵列的硅圆片，被称为“晶圆”。“晶圆”有别于硅片，通常把还没有经过芯片制造工艺的原始圆硅片简称为“硅片”。 2.2.1 晶圆的表形构成 1.硅衬底是制作集成电路芯片的衬底材料，他可以是P型或N型的原始抛光硅片，也可以是经过外延工艺的硅片，依据集成电路的结构形式和制造工艺选定。 2.2.1 晶圆的表形构成 硅衬底是制作集成电路芯片的衬底材料，它可以是P型或N型的原始抛光硅片，也可以是经过外延工艺的硅片，依据集成电路的结构形式和制造工艺选定。 2.2.1 晶圆的表形构成 2.芯片 集成电路的核心是功能电路芯片，为进行大规模量产、降低集成电路成本，晶圆上的芯片数会很多。 芯片上的内容很多，其主体是集成电路功能电路，集成的功能不外乎是晶体三极管、二极管、电阻和电容，用金属薄膜导线规则把他们连接起来。 2.2.1 晶圆的表形构成 2.2.1 晶圆的表形构成 3.辅助测试结构 集成电路的辅助测试结构是对集成电路功能和参数测试的补充，在进入大规模集成电路阶段后，更显得必要性和重要性。 集成电路测试结构是为了提取集成电路的各种参数而专门设计的，大致可以分为芯片制造过程的工艺监控参数、过程质量控制参数、电路设计模型参数和可靠性参数的提取。 2.2.1 晶圆的表形构成 微电子测试结构图 微电子测试结构图是指一种用于微电子器件生产中，有别于芯片上所集成的核心功能电路的特种图形结构。微电子测试结构图组可用于评价晶圆片级集成电路的材料、掺杂和刻蚀的均匀性，工艺装备的完好性，工艺、结构与器件参数的一致性及工艺的稳定性。 微电子测试结构图 1.工艺监控参数 （1）在工艺参数的监测中，最典型的微电子测试结构是范德堡（VDP）测试结构，它主要用于测量各种掺杂区域的薄层电阻。其测试结构有圆形VDP，圆形栅极VDP、偏移方形十字、大希腊十字形、小希腊十字形和正十字形六种，其中，正十字形VDP测试结构经常被使用。 2.3.2 微电子测试结构图 微电子测试结构图 （2）金属-半导体接触电阻测试结构。随着电路结构尺寸越来越小。IC特征尺寸按比例因子K减小，引线孔的面积按K2的关系缩小，则金属-半导体接触电阻会以K2的速率增加。如何正确的测定金属-半导体接触电阻或接触电阻