第8存储器与可编程逻辑器件.ppt

　３．根据存储器数据的输入/输出方式不同分类 　存储器可分为串行存储器和并行存储器。串行存储器中数据输入或输出采用串行方式，并行存储器中数据输入或输出采用并行方式。显然，并行存储器读写速度快，但数据线和地址线占用芯片的引脚数较多，且存储容量越大，所用引脚数目越多。串行存储器的速度比并行存储器慢一些，但芯片的引脚数目少了许多。 　　2．存取速度 　　　存储器的存取速度可用“存取时间”和“存储周期”这两个时间参数来衡量。“存取时间”（Access Time）是指从微处理器发出有效存储器地址从而启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间。很显然，存取时间越短，则存取速度越快。目前，高速缓冲存储器的存取时间已小于20ns，中速存储器在60ns到100ns之间，低速存储器在100ns以上。“存储周期”（memory cycle）是连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。由于存储器在完成读/写操作之后需要一段恢复时间，所以存储器的存储周期略大于存储器的存取时间。如果在小于存储周期的时间内连续启动两次存储器访问，那么存取结果的正确性将不能得到保证。 8.2　随机存取存储器（RAM） 　主要内容： 　RAM的分类与结构 　静态RAM（SRAM） 　SRAM的存储单元 　动态RAM（DRAM） 　DRAM的存储单元 8.2.1 　RAM分类与结构 　1．RAM分类