大学物理实验——霍尔效应.pptVIP

霍尔效应实验 霍尔（ A.H.Hall ） 霍尔效应（Hall effect ） 霍尔效应（Hall effect ） 测量霍尔电压 仪器介绍 仪器介绍 实验内容 实验内容 数据处理 数据处理 注意事项 最小二乘法（直线拟合y=A’+B’x） 霍尔效应（Hall effect ） 不等势电压 厄廷豪森效应 能斯特效应 里纪-勒杜克效应 副效应的消除方法 * * 黑龙江大学普通物理实验室 霍尔效应是美国物理学家霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在美国霍普金斯大学读研究生期间,研究关于载流导体在磁场中的受力性质时发现的一种现象。 A.H.Hall（1855～1938） 如果在一块矩形半导体薄片上沿x轴方向通以电流，在z轴方向上加磁场 ，则在垂直于电流和磁场的方向（即y 轴方向）上产生电势差，这一现象称为霍尔效应,所产生的电压称为霍尔电压。 x y z IS VH IS 半导体：N型—载流子是电子；P型—载流子是空穴 有一N型半导体薄片：厚为d，宽为b，A’C’电极间距为l IS mV 洛伦兹力 霍尔电场 霍尔电压 动态平衡时 P型半导体 x y z 电场力 - IS IS mV 实验中的副效应： 不等势电压V0 厄廷豪森效应VE 能斯特效应VN 里纪-勒杜克效应VRL 副效应的消除方法 用对称测量法测量 +B,+IS VAA’=V1 -B,+IS VAA’=V2 -B,-IS VAA’=V3 +B,-IS VAA’=V4 x y z VAA’ x y z 霍尔片 IS输入 +IS -IS 霍尔片 输出 VH VH + - mV + - 霍尔效应测试仪 S H VH Vσ（mV） IS （mA） IM(A） IS调节 IM调节 IS输出 IM输出 VH Vσ输入 -3.21 .123 保持IM值不变,（取IM =0.600A），改变IS，测量VH，用最小二乘法处理数据，计算霍尔系数RH ，计算载流子浓度n。 电磁铁 励磁电流 ， 电磁铁常数 电磁铁磁感应强度 B的国际单位：特斯拉T，单位换算 RH —霍尔系数 1.测量霍尔电压,计算霍尔系数 2.测A’C’间电压 ，计算电导率 ，迁移率 。 将实验仪“VH 输出”开关倒向 ，在零磁场下（怎样获得零磁场？），取 ，测量 。 注意:IS取值不要大于0.20mA，以免过大，毫伏表超量程。 ( ) ( ) 霍尔片 输出 VH VH + - mV 记录B0、IM，计算磁感应强度B (计算过程)。 记录霍尔片几何参量b、d、l(122页)。 用最小二乘法处理数据，记录截距A’，斜率B’，相关系数r。 用斜率B’计算霍尔系数RH。 判断材料的导电类型（N型P型）。 计算载流子浓度（单位体积内含有载流子的个数，单位 ） 计算电导率（描述物体的导电能力，是电阻率的倒数。单位：西门子/米(S/m)） 计算迁移率（是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的大小的量度，运动得快，迁移率大；运动得慢，迁移率小。单位 ） 霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，严禁撞击或用手触摸，否则易遭损坏。在需要调节霍尔片位置时，必须谨慎，切勿随意改变Y轴方向的高度，以免霍尔片与磁极面摩擦而受损。 决不允许将“IM输出”接到“IS输入”或“VH、Vσ输出”处，否则，一旦通电，霍尔样品即遭损坏。 测量Vσ时， IS不宜过大，以免数字电压表超量程，通常IS取为0.2mA左右。 相关系数 斜率 截距 如果相关系数|r|趋于1，说明VH和IS线性关系好，截距A’趋于0，说明VH和IS是正比关系，有 因为 返回 最小二乘法（直线拟合y=A’+B’x ） 保留至不为9的数 SHIFT ( = 相关系数r 4位，单位 SHIFT 8 = 斜率B’ 2位，单位 SHIFT 7 = 截距A’ xn ， yn M+ …… x2 ， y2 M+ x1 ， y1 M+ 输入数据 SHIFT AC = 清除内存 MODE MODE 2 1 设置状态 返回 x y z IS P型半导体 IS mV