11第十一讲dr饲am存储器.pptVIP

DRAM存储器与高性能存储器 第3章 存储系统 教学内容 DRAM存储器 高性能存储器 教学要求 掌握DRAM存储器的读写过程和刷新过程的原理。 理解各个周期的特点，并能绘制图。 理解EDRAM芯片的组成和工作原理。 掌握内存条的功能和存储地址的分配。 教学重点 DRAM的读写，刷新功能。 内存的读写工作过程。 一 DRAM存储器芯片 1 四管动态存储元 一 DRAM存储器芯片 一 DRAM存储器芯片 2 单管动态存储元 一 DRAM存储最小单元 二　DRAM芯片的结构 ２　芯片的外观 ３ DRAM存储芯片实例 2116芯片地址线，锁存器，行列选址，数据线 小结 DRAM与SRAM最大的不同是DRAM的刷新操作，最小刷新周期与介质相关。 有 控制信号，而没有 片选信号。扩展时用 信号代替 信号。 地址线引脚只引出一半，因此内部有两个锁存器，行地址选通信号和列地址选通信号在时间上错开进行复用。 实例 例1：某一动态RAM芯片，容量为64K×1，除电源线，接地线和刷新线外，该芯片最小引脚数目为多少？ 三 DRAM的周期 读周期：行地址和列地址要在行选通信号与列选通信号之前有效，并在选通信号之后一段时间有效。保证行地址与列地址能正确选通到相应的锁存器。 写周期：写命令信号必须在选通信号有效前有效。 三 DRAM的周期 刷新周期：刷