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电 工 学 教 案 授课教师： 第15章 半导体二极管和三极管 一、基本要求 1.?了解半导体的导电特性，理解PN结的单向导电性； 2.?了解二极管、稳压管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 3.?了解双极型晶体管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义； 4.?了解MOS场效晶体管的基本构造、工作原理和特性曲线，理解主要参数的意义。 二、重点： 1.?PN结的单向导电性； 2.二极管、稳压管的特性曲线及主要参数； 3.双极型晶体管的特性曲线及三个工作区（放大、截止、饱和）的特点及主要参数； 4. MOS场效晶体管的特性曲线及主要参数。 ?三、难点： 1.???? 载流子运动规律与外部特性曲线的关系。 15．1 半导体的导电特性 物体根据导电性能的差别可分为导体、绝缘体、半导体。半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。半导体中的载流子包括电子载流子和空穴载流子。 一、半导体的特性　 1．温敏性 2．光敏性 3．掺杂性 二、半导体共价键结构 1．价电子 原子的最外层电子叫价电子。物资的半导体性能与价电子有关。价电子数目越接近于8个，物资的化学结构越稳定。金属的价电子一般少于4个，单质绝缘体一般多于4个。半导体的价电子数为4个(硅锗)。 2．共价键 相邻的原子被共有的价电子联系在一起，原子的这种组合叫共价键。 15.1.1　本征半导体 1、本征半导体：纯净的不含任何杂质的半导体。常温下，本征半导体的载流子很少，导电能力很弱，随着温度升高，导电能力上升。 2、热激发：半导体受热而产生载流子的过程。 3、空穴：热激发使某些共价键，由于电子挣脱出去而留下的一个空位。空穴带一个正电荷。 4、复合：空位子被自由电子填补掉。 5、漂移：在电子场作用下，自由电子和空穴作定向运动，称漂移。 6、本征半导体的导电性： ａ.有两种不同的载流子，自由电子，空穴。 ｂ.室温下电子，空穴对有限，导电力差。 ｃ.在电场作用下，载流子产生电流，电流为电子电流与空穴电流之和。 15.1.2 N型半导体和P型半导体 为了提高半导体的导电能力,可在本征半导体中掺入微量杂质元素,掺杂后半导体称为杂质半导体。 1.N型半导体 a.定义:N型半导体称为电子型半导体,在半导体中掺入五价元素,使之有相当数量的自由电子.这种半导体主要靠电子导电. b.施主原子:掺入的正五价杂质原子. c.N型半导体的特性: N型半导体中不但有数量很多的自由电子,而且有少量的空穴存在。自由电子是多数载流子(多子)。空穴是少数载流子(少子)。 2.P型半导体 A.定义:掺入硼杂质的硅半导体有相当数量的空穴载流子.这种半导体靠空穴导电.称之为空穴半导体.简称P型半导体. B.受主原子:掺入的三价杂质称为受主原子. C.特性: 在P型半导体中,不但有数量很多的空穴,而且有少量的自由电子存在.空穴是多数载流子(多子).电子是少数载流子(少子). 杂质半导体的导电性能主要取决于多子的浓度.多子浓度主要取决于掺杂浓度.其值较大并且稳定.因此导电性能得一显著改善. 少子的浓度主要与本征半导体激发有关.因此对温度敏感,其大小随温度升高而增大。 15.2 PN结 15.2.1 PN结的形成 漂移运动：载流子在电场力的作用下的运动。 漂移电子流：逆电场方向运动。漂移空穴流：顺电场方向运动。 扩散运动：载流子从高浓度区向低浓度区的运动。 由于多数载流子的扩散运动，产生空间电荷区，又称耗尽区。 由于P区有大量的空穴,N区有大量的自由电子.使得交界面两边的两种载流子浓度相差很大,浓度差将引起载流子的扩散运动.在扩散的过程中.两种载流子在交界面复合.复合的结果从而出现不能移动的正负两种杂质离子所组成的的空间电荷区.空间电荷区产生内电场.使少子产生漂移运动.最后使得扩散运动与漂移运动达到动态平衡. b.内电场的作用: 1)阻碍扩散运动 2) 产生漂移运动 15.2.2 PN结的单向导电性 一、PN结的单向导电性 外加正向电压(PN结正向偏置) 正向偏置：PN结P区接电源正极，N区接电源负极。此时外电场与内电场方向相反，空间电荷区变窄,内电场被削弱，使耗尽层变窄，载流子扩散大于漂移.多子的扩散电流能顺利通过PN结,形较大正向电流If。PN结呈现较小电阻，称为正向导通。 加反向电压(PN结反向偏置) 反向偏置：PN结N区接电源正极，P区接电源负极。此时外电场与内电场方向相同，空间电荷量增多, 使耗尽层加宽。内电场加强,载流子的扩散难以进行,造成漂移大于扩散,多子受阻，少子在内电场作用下，漂移过PN结形成反向电流。PN结呈现很大电阻，称为反向截止。 PN结单向导电性：“正向导通，反向截止” 15.3 半导体二极管 15.3.1基本结构 1.构成：在PN结的两端各自引出一