第四章场效应管放电路13545.docVIP

PAGE PAGE 1 第四章 场效应管放大电路 由于半导体三极管工作在放大状态时，必须保证发射结正偏，故输入端始终存在输入电流。改变输入电流就可改变输出电流，所以三极管是电流控制器件，因而三极管组成的放大器，其输入电阻不高。 场效应管是通过改变输入电压(即利用电场效应)来控制输出电流的，属于电压控制器件，它不吸收信号源电流，不消耗信号源功率，因此输入电阻十分高，可高达上百兆欧。除此之外，场效应管还具有温度稳定性好，抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，所得到广泛的应用。 场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(IGFET)，目前最常用的MOS管。 由于半导体三极管参与导电的两种极性的载流子，电子和空穴，所以又称为半导体三极管双极性三极管。场效应管仅依靠一种极性的载流子导电，所以又称为单极性三极管。 FET－Field Effect transistor JFET－Junction Field Effect transistor IGFET－Insulated Gate Field Effect Transistor MOS－Metal-Oxide-Semiconductor （一）课程内容 1 结型场效应管和绝缘栅型场效应管。 2 场效应管的主要参数。 3 场效应管的特点。 4 场效应管放大