半导体二极管和晶体管.pptVIP

课程目标：通过本次课，掌握半导体的基本原理和性质，为模拟电路的学习打下基础。 本节重点：半导体(PN结)的掺杂特性、单向导电性、稳压管的应用 本节难点：二极管单向导电性的具体应用。稳压管的应用 情感教育：模拟电子课程相对难理解一些，需经做大量习题来巩固，学生应养成自学习惯 自学内容：教材P93-101 2.1 N型半导体 2.2 P 型半导体 扩散运动： 载流子受扩散力的作用所产生的运动称为扩散运动。 扩散电流：载流子扩散运动所形成的电流称为扩散电流。 3 .PN结的形成 6.3 半导体二极管基本结构 2. 二极管伏安特性 二极管电路分析举例 晶体管电流测量数据 2. 输出特性 (2) 截止区 (3) 饱和区 举例 4. 主要参数 共发射极电路 IC EC=UCC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 3DG100晶体管的输出特性曲线 在不同的 IB下，可得出不同的曲线，所以晶体管的输出特性曲线是一组曲线。 第6章 半导体二极管和晶体管 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分为三个工作区 3DG100晶体管的输出特性曲线 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (1) 放大区 在放大区 IC = ? IB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 对 NPN 型管而言, 应使 UBE 0, UBC 0，此时， UCE UBE。 大 放 区 对 PNP 型管而言, 应使 UBE 0, UBC 0，此时， UCE UBE。 第6章 半导体二极管和晶体管 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 放大区特点 （a）三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置； （b）基极电流IB微小的变化会引起集电极电流IC较大的变化，有电流关系式：IC=βIB； （c）对NPN型的三极管，有电位关系：UCUBUE，UCEUBE ； 对PNP型的三极管，有电位关系：UCUBUE；UCEUBE （d）对NPN型硅三极管，有发射结电压UBE≈0.5V；对NPN型锗三极管，有UBE≈0.2V。 第6章 半导体二极管和晶体管 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 (a)截止时,发射结和集电结均反向偏置； UBE≤0,UBC0对NPN型硅管，当UBE0.5V时, 即已开始截止, 为使晶体管可靠截止 , 常使 UBE? 0。 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。(ICEO0.001mA) 截止区 第6章 半导体二极管和晶体管 (b)截止时,若不计穿透电流ICEO，有IB、IC近似为0； UCE≈UCC (c)三极管的集电极和发射极之间电阻很大，三极管相当于一个开关断开。 IC/mA UCE/V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA O 3 6 9 12 4 2.3 1.5 3 2 1 IB =0 在饱和区，?IB ?IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? 0.1V。 IC ? UCC/RC 。 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，晶体管工作于饱和状态。 饱和区 第6章 半导体二极管和晶体管 晶体管三种工作状态的电压和电流 (a)放大 (b)截止 (c)饱和 当晶体管饱和时， UCE ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小；当晶