半导体物理_第四章分解.ppt

第五章 载流子输运本章学习要点：1.了解载流子漂移运动的机理以及在外电场 作用下的漂移电流2.了解载流子扩散运动的机理以及由于载流 子浓度梯度而引起的扩散电流3.掌握半导体材料中非均匀掺杂带来的影响4.了解并掌握半导体材料中霍尔效应的基本 原理及其分析方法 载流子如果发生净的定向流动，就会形成电流。通常把载流子定向流动的过程称为载流子的输运过程。一般情况下载流子的输运机理有两种，即漂移运动和扩散运动。 以电子为例，在没有外加电场的情况下，电子在半导体晶体材料中就存在着无规则的热运动，由于电子与晶格原子之间的碰撞作用，这种无规则的热运动将不断地改变电子的运动方向。温度越高，电子在发生两次碰撞之间的自由运动时间也就越短。 在有外加电场存在的情况下，电子除了无规则的热运动之外，还将在外加电场的作用下做定向的加速运动，但是电子的速度不会无限制地增加下去，而是会因为碰撞作用不断地失去定向运动的速度，然后再重新开始加速，最后等效来看，电子在外加电场的作用下将会获得一个平均的定向运动速度。 在没有外加电场和有外加电场存在的两种情况下，导带电子在半导体晶体材料中的运动情况分别如下图所示： 1. 漂移电流密度如下图所示，对于一块半导体材料来说，当在其两端外加电压V之后，所形成的电流密度（面密度）可表示为： 在弱场情况下，载流子的定向漂移速度与外加电场成正比，即： 下表所示为室温下几种常见半导体材料中的载流子迁移率。 2. 迁移率效应 前面给出了载流子迁移率的定义，即载流子平均的定向漂移速度与外加电场之间的比值。对于空穴而言，则有： 半导体晶体材料中，有无外加电场情况下，空穴的运动情况示意图 没有外加电场时，载流子总的平均定向运动速度为零，而当有外加电场时，载流子将在原来热运动的基础上，叠加一个定向的漂移运动。载流子发生连续两次碰撞之间的自由运动时间为τ，由热运动的剧烈程度和掺杂浓度决定。 对空穴来说，在一次自由运动时间内所获得的最大定向漂移运动速度为 对于平均的定向漂移运动速度来说，应该是最大定向漂移运动速度的一半，即： 对电子来说，设其自由运动时间为τcn，则有： 单纯由晶格振动散射所决定的载流子迁移率随温度的变化关系为： 在比较低的掺杂浓度下，电子的迁移率随温度的变化如右图，这表明在低掺杂浓度的条件下，电子的迁移率主要受晶格振动散射的影响。 在低掺杂浓度的条件下，空穴的迁移率也是主要受晶格振动散射的影响。 载流子在半导体晶体材料中运动时所受到的第二类散射机制是所谓的离化杂质电荷中心的库仑散射作用。单纯由离化杂质散射所决定的载流子迁移率随温度和总的掺杂浓度的变化关系为： 从上式中可见，离化杂质散射所决定的载流子迁移率随温度的升高而增大，这是因为温度越高，载流子热运动的程度就会越剧烈，载流子通过离化杂质电荷中心附近所需的时间就会越短，因此离化杂质散射所起的作用也就越小。 下图所示为室温（300K）条件下硅单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，载流子的迁移率发生明显的下降。 下图所示为室温（300K）条件下锗单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，锗材料中载流子的迁移率也发生明显的下降。 下图为室温（300K）条件下砷化镓单晶材料中电子和空穴的迁移率随总的掺杂浓度的变化关系曲线。从图中可见，随着掺杂浓度的提高，砷化镓材料中载流子的迁移率同样也发生明显的下降。 假设τL是由于晶格振动散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生晶格振动散射的次数为dt/τL； 同样，假设τI是由于离化杂质散射所导致的载流子自由运动时间，则载流子在dt时间内发生离化杂质散射的次数为dt/τI； 如果两种散射机制相互独立，则在dt时间内载流子发生散射的总次数为： 上式中，μI是只有离化杂质散射存在时的载流子迁移率，而μL则是只有晶格振动散射存在时的载流子迁移率，μ是总的载流子迁移率。当有多个独立的散射机制同时存在时，上式依然成立，这也意味着由于多种散射机制的影响，载流子总的迁移率将会更低。 上式中σ是半导体晶体材料的电导率，其常用的单位是(Ω?cm)-1，它是两种载流子浓度及其迁移率的函数，我们已经看到，载流子迁移率也是掺杂浓度的函数，因此可以预计，电导率将是掺杂浓度的一个非常复杂的函数。 右图所示为N型和P型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 如果我们考虑一块掺杂浓度为NA的P型半导体材料（ ND＝0），且NAni，假设电