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 半导体三极管机理综述： MOS管的工作原理 本章小结 N沟道结型场效应管的 转移特性曲线 # JFET有正常放大作用时，沟道处于什么状态？ VP 3. 转移特性与输出 特性的对应关系 低频跨导： (1.4.1) 结构、分类和电路符号 （补充） P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 1.4.2绝缘栅场效应管: P N N G S D 金属铝 导电沟道 G S D N沟道增强型 N沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P沟道增强型 P沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导电沟道 一、N沟道增强型MOS管 P N N G S D UDS UGS 1、工作原理 P N N G S D UDS UGS UGS=0时 D-S间相当于两个反接的PN结 ID=0 对应截止区 2、特性曲线与电流方程 转移特性曲线 0 ID UGS VT 输出特性曲线 ID U DS 0 UGS0 2、 集电极最大 允许电流ICM 1、 集电极最大允许功率损耗PCM PCM= ICVCE 三. 极限参数 3、 反向击穿电压 ? V(BR)CBO——发射极开路时的集电结反 向击穿电压。 ? V(BR) EBO——集电极开路时发射结的反 向击穿电压。 ? V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 V(BR)CBO＞V(BR)CEO＞V(BR) EBO 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 （思考题） ICBO受温度影响很大，当温度上升时，ICBO增加很快（1倍/10°C），所以IC也相应增加。当三极管参数随温度变化较大时称其特性较差。 1.3.5 温度对晶体管特性及其参数影响 一、温度对ICBO的影响 要点： 参数随温度变化趋势 IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 T=27oC 二、温度升高使输入特性曲线左移 T=60oC T=0oC 温度对UBE的影响 iB uBE 25 oC 50oC T UBE IB IC 三、温度升高使输出特性曲线上移 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 3 6 9 12 0oC 60oC 27oC 温度对?值及ICEO的影响 T ?、 ICEO IC iC uCE Q Q′ 总的效果是： 温度上升时，输出特性曲线上移，造成Q点上移。 IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 小结：三极管特性曲线（特别记忆） 作业 1.15 1.16 场效应管与双极型晶体管导电机理不同，它是完全多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。 电信设备多利用其良好的低噪声特性，特别是高频低噪声前端。 §1.4 场效应管 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 源极，用S或s表示 N型导电沟道 漏极，用D或d表示 P型区 P型区 栅极，用G或g表示 栅极，用G或g表示 符号 符号 一、 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 实际制作结构 图1.4.1 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 原理说明结构 图1.4.2 导电沟道 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用 当VGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? VGS继续减小，沟道继续变窄 ② VDS对沟道的控制作用 当VGS=0时， VDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当VDS增加到使VGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。