半导体硅片电阻率及硅7膜薄层电阻测定非接触-有色金属标准质量.DOC

PAGE \* MERGEFORMAT 9 协会标准《多晶硅生产用氯硅烷杂质含量分析 电感耦合等离子体质谱法》 （预审稿）编制说明 工作简况 立项目的及意义 半导体材料（尤其是集成电路工业）是电子信息产业的基础和核心，是国民经济现代化与信息化建设的先导与支柱产业。半导体硅单晶材料则是半导体工业的最重要的主体功能材料，多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代 HYPERLINK /doc/2952526.html \t /doc/_blank 人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的 HYPERLINK /doc/1389631.html \t /doc/_blank 电子信息基础材料，是极为重要的优良半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性，被称为“微电子大厦的基石”。 多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。它是由德国Siemens公司发明并于1954年申请了专利1965年左右实现了工业化。经过几十年的应用和发展，西门子法不断完善，先后出现了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生产工艺即改良西门子法，它在第二代的基础上增加了还原尾气干法回收系统、SiCl4回收氢化工艺，实现了完全闭环生产，是西门子法生产高纯多晶硅技术的最新技术。硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用。 氯硅烷是制备多晶硅的重要原料，其中合成氯硅烷中B、P杂质含量是影响多晶硅质量的重要因素，严重影响多晶硅的质量指标。氯硅烷是三氯氢硅和四氯化硅混合物，其中三氯氢硅是制备多晶硅的重要原料。三氯氢硅又称硅氯仿、硅仿、三氯硅烷，在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧，在-18℃以下也有着火的危险，遇明火则强烈燃烧，纯净的三氯氢硅是无色或微黄色的透明可燃液体，有强烈的刺激性。三氯氢硅沸点31.5℃，易挥发、易潮解，遇水反应产生氯化氢气体，遇明火、高热时发生燃烧或爆炸，具有急性毒性。 任务来源 根据国家工信部《 HYPERLINK /index.php?m=contentc=indexa=showcatid=29id=2217 \t /_blank 关于下达2017年协会标准制修订计划的通知》（中色协科字[2017]8号）文件精神，由新特能源股份有限公司负责修订《多晶硅生产用氯硅烷杂质含量分析 电感耦合等离子体质谱法》，由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会负责归口，计划编号2016-024-T/CNIA，计划完成时间为2018年。 编制单位简况 新特能源股份有限公司[简称：新特能源]成立于2008年，主要推崇绿色制造、循环经济发展模式，在致力太阳能光伏产业链建设的基础上，从循环经济的减量化、再利用和循环使用原则出发，采用全闭环的多晶硅生产工艺。建立纳米材料分公司、新能建材有限公司，利用多晶硅生产中副产物四氯化硅生产气相二氧化硅，利用发电过程产生的煤渣、粉煤灰等生产加气块，变废为宝。被评为国家“优秀循环经济企业”。生产、研发、销售高纯多晶硅、多晶硅/单晶硅硅片、高纯四氯化硅、气相二氧化硅等产品，并提供硅产业技术服务，主导产品为多晶硅，目前，多晶硅生产规模达到15000吨/年，居世界前八位，中国前三位。 新特能源坚持机制创新、体制创新、科技创新、管理创新、文化创新的创新求变理念，2012年经新特能源股份有限公司高层领导研究决定在新特能源质检中心的基础上组建了新疆新特新能材料检测中心有限公司，本公司于2013年和2014年两年间相继取得CMA和CNAS资质，本公司实验室有效建筑面积6540m2，其中十万级恒温空间占地6340 m2，千级高洁净间占地756 m2；实验室仪器配置涵盖了气相、液相色谱，光谱、质谱等常规及高尖端分析检测仪