网站大量收购独家精品文档,联系QQ:2885784924

集成电路CMOS题库.docxVIP

  1. 1、本文档共15页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一、选择题 1.Gordon?Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。?(B) A.12??????B.18???????C.20?????D.24? MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。?(C) 体????B.衬偏???C.沟长调制???D.亚阈值导通??????? 在CMOS模拟集成电路设计中,我们一般让MOS管工作在区。?(D) A.亚阈值区??B.深三极管区??C.三极管区??D.饱和区????????? 4.MOS管一旦出现现象,此时的MOS管将进入饱和区。?(A) A.夹断?????B.反型????C.导电??D.耗尽??????????? 5.表征了MOS器件的灵敏度。?(C) A.?B.?C.?D.?? Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的。 (B) A.?B.?C.?D.???? 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是。?(C) A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值?B.负载不匹配? C.输入MOS不匹配?D.电路制造中的误差? 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益。? ( C ) 二极管负载差分放大器?B.电流源负载差分放大器? C.有源电流镜差分放大器?D.Cascode负载Casocde差分放大器?? 9.镜像电流源一般要求相同的。? ( D ) A.制造工艺?? B.器件宽长比?? C.器件宽度W? D.器件长度L? 10. NMOS管的导电沟道中依靠导电。??( ) 电子??????????B.空穴??????????C.正电荷????????D.负电荷?????????????? 11.下列结构中密勒效应最大的是。?(A) A.共源级放大器????????????????B.源级跟随器??????????????????? C.共栅级放大器????????????????D.共源共栅级放大器???????? 在NMOS中,若会使阈值电。?(A) A.增大??????????B.不变??????????C.减小??????????D.可大可小????????? 13.?模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是。?(C) A.增益??????????B.输出电阻??????C.输出摆幅??????D.输入电阻???????? 14.?模拟集成电路设计中可使用小信号分析方法的是。?(A) A.增益??????????B.电压净空??????C.输出摆幅??????D.输入偏置??????? 15.?下图中,其中电压放大器的增益为-A,假定该放大器为理想放大器。请计算该 电路的等效输入电阻为。 () 第15题 B. C.D.? 16.不能直接工作的共源极放大器是共源极放大器。?(C) ?A.电阻负载????????????????????B.二极管连接负载??????????????? C.电流源负载??????????????????D.二极管和电流源并联负载??????? 17.模拟集成电路设计中的最后一步是。?(B) ?A.电路设计?????????????B.版图设计????????????C.规格定义???????D.电路结构选择????????????????? 18.在当今的集成电路制造工艺中,工艺制造的IC在功耗方面具有最大的优势。?(B) A.MOS???????????B.CMOS??????????C.Bipolar???????D.BiCMOS?????????? 19.PMOS管的导电沟道中依靠导电。??(B) 电子??????????B.空穴??????????C.正电荷????????D.负电荷????????? 20.电阻负载共源级放大器中,下列措施不能提高放大器小信号增益的是。??(D) A.增大器件宽长比??????????????B.增大负载电阻????????????????? C.降低输入信号直流电平????????D.增大器件的沟道长度L????????? 21.?下列不是基本差分对电路中尾电流的作用的是。?(D) ?A.为放大器管提供固定偏置??????B.为放大管提供电流通路???????? ?C.减小放大器的共模增益????????D.提高放大器的增益????????????? 22.共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗。?(D) A.低????????????B.一般??????????C.高????????????D.很高????????? 23.?MOS管的漏源电流受栅源过驱动电压控

文档评论(0)

celkhn5460 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档