半导体物理及器件实验报告.docVIP

课程实习报告 HUNAN UNIVERSITY 题 目： 半导体物理与器件 学生姓名 ： 周强强 学生学号： 20100820225 专业班级： 通信二班 完 成 日 期 ： 2012.12.22 运行结果截图： 2.2 函数也是经典波动方程的解。令，请在同一坐标中绘出的函数在不同情况下的图形。 。 3.27根据式（3.79），绘制出范围内，不同温度条件下的费米-狄拉克概率函数： 4.3 画出硅，锗，砷化镓在温度范围内的本征载流子浓度曲线（采用对数坐标）。 4.46 已知锗的掺杂浓度为，。画出费米能级相对于本征费米能级的位置随温度变化的曲线。 5.20硅中有效状态密度为 设迁移率为 设禁带宽带为，且不随温度变化。画出范围内，本征电导率随绝对温度T变化的关系曲线。 6.34 n型硅样品的掺杂浓度为，产生的过剩载流子的浓度为。在范围内，绘出随变化的函数。 7.4均匀掺杂的 结，其掺杂浓度为。画出 温度区间内，内建电势差随温度变化的曲线。 8.3 ,理想硅结的少子寿命分别为。N区的掺杂浓度为。绘制出当的范围是时，空间电荷区内空穴电流占总电流的比例随变化的曲线图（采用对数坐标）。 9.10 金与掺杂浓度为的n型硅基础形成肖特基二极管。简要说明肖特基势垒降低现象。 绘出肖特基势垒降低值与反偏电压在时的图形； 绘出与反偏电压在时的图形。 实验源代码（基于mathematica7.0）： 2.2 V1=Cos[ 2 ? x / ? - 0]; V2=Cos[ 2 ? x / ? - 0.5 ?]; V3=Cos[ 2 ? x / ? - ?]; V4=Cos[ 2 ? x / ? - 1.5 ?]; V5=Cos[ 2 ? x / ? - 2 ?]; ? =1; Plot [{V1,V2,V3,V4,V5},{x,0,3}, PlotStyle?{RGBColor[1,0,1], RGBColor[1,0.5,0], RGBColor[1,0,0.5], RGBColor[0,1,0], RGBColor[0,0,1]}, AxesLabel?{(/?),V(x,t)}] 3.27 F1 = 1/(1+Exp[ x/(k * 200)]); F2 = 1/(1+Exp[ x/(k * 300)]); F3 = 1/(1+Exp[ x/(k * 400)]); k=0.0000861; Plot [{F1,F2,F3},{x,-0.2,0.2}, PlotStyle?{RGBColor[1,0,0], RGBColor[0,1,0], RGBColor[0,0,1]}, AxesLabel?{(E-EF), }] 4.3 (*设x=1000/T*) Si =Sqrt[2.8 * 1.04 * 1038* (1000/ x /300 )^3 * Exp[-1.12 /(0.0000861*1000/x)]]; Ge =Sqrt[1.04 * 6 * 1037* (1000 /x /300 )^3 * Exp[-0.66/(0.0000861* 1000 /x)]]; GaAs =Sqrt[4.7 * 7 * 1035* (1000 /x /300 )^3 * Exp[-1.42/(0.0000861* 1000/ x)]]; LogLogPlot[{Si,Ge,GaAs},{x,10/6,5}, PlotStyle?{RGBColor[1,0,0], RGBColor[0,1,0], RGBColor[0,0,1]}, AxesLabel?{(1000/T),本征载流子浓度Ni}] 4.46 Nc=1.04 * 1019; Nv=6 * 1019; Eg=0.66; k =8.62 *10-5; Na=1015; Nd=0; ni=; p0=(Na-Nd)/2+; f=k * T * Log[p0/ni]; Plot[f,{T,200,600}, AxesLabel-{T,}] 5.20 Nc=2.8 * 1019 (T/300)3/2 ; Nv= 1.04