低功耗高稳定性八管SRAM单元电路设计.pdfVIP

术发展路线图)预测，在嵌入式存储器当中，SRAM存储单元阵列将占到所有晶 Power)的 体管数目的一大半。由于SRAM单元数目的巨大以及漏电流(Leakage 不断增大，SRAM单元阵列的功耗偏大问题也变得越来越突出。 传统的SRAM存储单元采用的是六管的结构，其读操作采用的是直接存取机 理。在读操作过程中，数据存储点通过存取晶体管直接与位线(Bit．1ine)相接， 由于分压和外部噪声的影响，存储的数据很不稳定，也就是读操作的破坏。改良 位线分离的方法，消除了电压分压以及外部噪声的问题，其稳定性得到显著提升。 但是，由于只有一个存取NMOS管用于写操作，加上阈值电压损失的作用，其写 操作的稳定性及速度不能达到要求。 一种新型的八管SRAM结构被提出，其针对于七管SRAM的写操作的问题， 在交叉耦合的反相器之间加入了一个PMOS晶体管。在数据保持和读操作过程中， 操作过程中，PMOS关断，保持数据稳定的锁存器被打断为串行相连的反相器， 因此数据可以更容易的写进去，写操作能力增强。在八管SRAM结构中，所有的 晶体管都采用了最小尺寸晶体管，其面积增加不多。多阈值电压技术也可以应用 于SRAM结构，从而降低漏电流，同时改善读操作的性能。另外，单个位线运用 于读写操作，使其读写操作的动态功耗得到明显降低。相对于六管SRAM结构， 八管的SRAM具有更好的稳定性和较低的功耗。 关键字：SRAM单元八管稳定性漏电流低功耗 Abstract Abstract eCMOS is cellis and processtechnologycontinuing moremore scaling,SRAM totheincreasedvariation．Andthelow isalso process supplyvoltagetechnology usedforlow andlow call powerapplication．Bothscalingtechnologysupplyvoltagetechnology reducethe of cell．Atthe SRAM same transistorsleadto stability time，smaller increasing static is an sourceof thaton leakage，SOpowerbecomingimportant power．It’S predictedchip SRAM will mostofthenumberoftransistorsofthewhole arrays occupy ofSRAM cellisaneffectivetoreducethewhole leakage way chip’Spower． Inaconventional6TSRAM read data nodesare accessed cell，in operation，thestorage directly theaccesstransistor