淀积FSG中气泡缺陷产生原因的分析与改善.pdfVIP

第一章．半导体制造工艺流程简介 半导体组件制造过程可分为前段(FrontEnd)制程和后段(BackEnd)制 Fat))和晶圆 程；前段制程包括晶圆处理制程(WaferFabrication；简称Wafer 针测制程(Wafer TestandFinal Test)。其中晶圆处理制程是半导体制造的核心过程，它决定着半 导体器件的基本性能和特征。 1．1晶圆处理制程技术简介 晶圆处理制程的主要工作为在硅晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、 电容体、逻辑闸等)，为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程， 加工机台先进且昂贵，动辄数千万一台，其所需制造环境为为一温度、湿度与 著产品种类与所使用的技术有关；不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当 蚀刻及离子植入等反覆步骤，以完成品圆上电路的加工与制作。 晶圆处理制程技术通常分为三种类型 l图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到半导体 单晶片上，主要包括光刻、刻蚀等技术 2．掺杂技术：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成 晶体管、接触等，主要包括扩散和离子注入等技术 3．薄膜制备：制作各种材料的薄膜，主要包括外延、氧化、化学气相淀 积、物理气相淀积(如溅射、蒸发)等 附图(图1．1)是典型的PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程，从中可以 看出工序之复杂。所以半导体工艺往往是体现一个国家在先进技术方面水平的 一个缩影。目前世界各国都在不遗余力地发展自己的半导体工业。 4 ≤蠹i囊～；三囊氯绺 磊莲羞箍虱一。慝瑾层扩《 《再适渣菘 l基主譬薰毅一}曼霉整一…瞩寒扩散}一昏霸蘸西羽一——1赢弦 } 鐾垦茎墼一基坌塑垄墨壁瞧塑蛭望!!垦_兰亘堡垒{——电疆监至i鲎 t 曼窒垒卜重型重卜一+二iiii亟]”{壁鍪塑篓+一壹坌塑垦蔓型 —————{——一_————————。。 淀积链纯星一蘧挥竣毙誉一 中；|耍l 图1．1 PN结隔离的掺金TTL电路工艺流程 集成电路的加工工艺过程是由若干单项加工工艺组合而成。下面将分 别简单介绍这些单项加工工艺。 1．2图形转换技术 (1)图形光刻技术 光刻是加工集成电路微图形结构的关键工艺技术，通常，光刻次数越多，就 意味着工艺越复杂。另一方面，光刻所能加工的线条越细，意味着工艺线水平越 高。光刻工艺是完成在整个硅片上进行开窗的工作。 光刻技术类似于照片的印相技术，所不同的是，相纸上有感光材料，而硅片 上的感光材料一光刻胶是通过旋涂技术在工艺中后加工的。光刻掩模相当于照相 底片，一定的波长的光线通过这个“底片”，在光刻胶上形成与掩模版(光罩)图 形相反的感光区，然后进行显影、定影、坚膜等步骤，在光刻胶膜上有的区域被 溶解掉，有的区域保留下来，形成了版图图形。 光刻是集成电路制造过程中最复杂和最关键的工艺之一。光刻工艺利用光敏 的抗蚀涂层(光刻胶)发生光化学反应，结合刻蚀的方法把掩膜版图形复制到圆硅 片上，为后序的掺杂、薄膜等工艺做好准备。在芯片的制造过程中，会多次反复 使用光刻工艺。现在，为了制造电子器件要采用多达24次光刻和多于250次的单 独工艺步骤，使得芯片生产时间长达一个月之久。目前光刻己占到总的制造成本 的1／3以上，并且还在继续提高。 Technology) (2)图形刻蚀技术(Etching 虽然，光刻和刻蚀是两个不同的加工工艺，但因为这两个工艺只有连续进行， 才能完成真正意义上的图形转移。在工艺线上，这两个工艺是放在同一工序，因 此，有时也将这两个工艺步骤统称为光刻。 湿法刻蚀：利用液态化学试剂或溶液通过化学反应进行刻蚀的方法。 干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激 发态的分子，原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作 用而达到刻蚀的目的。