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北京谱仪Ds物理研究新进展3
层. 在短程力情况下, 其厚度按| ln ( Tm - T) | [ 3 ] Lagally M. Kinetics of Ordering and Growth at Surfaces.
规律增长. 在类液层和气相界面处, 有序参量随 New York :Academic Press ,1990 . 343 —354
β [ 4 ] Pluis B , Taylor T N ,Frenkel D et al . Phys. Rev. B ,1989 ,
( ) 1 β
T 按 1 - T/ Tm 规律衰减. 临界指数 1 的值 40 :1353 —1356
依赖于固/ 类液界面的非局域和粗糙程度. 最 [ 5 ] Polcik M ,Wilde L , Hanse J . Phys. Rev. Lett. ,1997 ,78 :
近, 对表面熔化的微观研究已发展起来, 主要以 491 —494
平均场点阵理论为基础. 将这一理论用于具有 [ 6 ] Zhu D M ,Dash J G. Phys. Rev. Lett. ,1986 ,57 :2959 —
2962
长程相互作用的 Lennard - Jones (LJ ) 系统, 得 [ 7 ] Larese J Z , Zhang Q M. Phys. Rev. Lett. , 1990 , 64 :
到无序层厚度的增长规律为 N eq ～ ( Tm - 922 —925
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T . 对面心立方金属, 在给定温度下, 开放
[ 9 ] Beaglehole D ,Nason D. Surf. Sci. ,1980 ,96 :357 —363
{ 110} 面上的无序层厚度大于{ 100} 面.
[ 10 ] Lied A ,Dosch H ,Bilgram J H. Phys. Rev. Lett. , 1994 ,
( )
对 Ge 111 表面熔化的理论研究也有所进 72 :3554 —3557
展. 1994 年, Takeuchi [20 ] 等用第一原理分子动 [ 11 ] Fletcher N H. Philos. Mag. ,1968 ,18 :1287 —1300
[ 12 ] Makkonen L .J . Phys. Chem. B ,1997 ,101 :6196 —6200
力学首次研究了高温 Ge ( 111) 表面的相变. 结
[ 13 ] McRae E G, Malic R
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