第五讲 理想pn结直流伏安特性.pdfVIP

双极性器件物理 Physics of Semiconductor Devices 第五讲 理想pn 结直流伏安特性 一． 理想pn 结模型 1. 理想pn 结模型近似条件 1) 耗尽层近似：空间电荷区的边界存在突变，并且耗尽区以外的半导体区域 是电中性的。耗尽层不存在多余的离散离子； 2) 载流子的统计分布采用波尔兹曼分布近似； 3) 小注入假设Low-level injection ：即注入的少数载流子浓度小于多数载流子 浓度，掺杂都离化； 4) 在耗尽层内不存在产生-复合电流，并且在整个耗尽层内，电子电流和空穴 电流恒定：PN 结内的电流处处相等；PN 结内的电子电流与空穴电流分别为连 续函数；耗尽区内的电子电流与空穴电流为恒定值； 2. 近似条件(2) （玻尔兹曼分布）的应用： 外加偏执电压下势垒区边界处载流子浓度： (1) 平衡时边界处载流子浓度 上一章的式(7.10)给出了内建电势差的表达式，即