《掺杂Tb3+的ZnO-Ga2O3-SiO2玻璃陶瓷的制备及其发光性能》-毕业学术论文（设计）.docVIP

l l 毕业设计(论文） 题 目： 掺杂Tb3+的ZnO-Ga2O3-SiO2玻璃陶瓷 的制备及其发光性能 学 生： 指导老师： 　 讲师 系 别： 材料科学与工程系 专 业： 材料科学与工程 班 级： 材科0801 　 学 号： 1608102120 2012年6月 掺杂Tb3+的ZnO-Ga2O3-SiO2玻璃陶瓷的制备及其发光性能 摘要 本文简述了发光材料相关理论：简述发光材料的发光过程和发光机理，介绍了稀土离子的光谱理论，概括了稀土发光材料的常用制备方法的进展和面临的问题。采用溶胶-凝胶法制备掺杂Tb3+的ZnO-Ga2O3-SiO2(ZGS)玻璃陶瓷和共掺杂Tb3+，Eu3+的ZGS玻璃陶瓷发光材料，利用热分析(DTA-TG)、X射线衍射(XRD)和荧光光谱(PL)等测试手段，分析各组成含量对其中的纳米晶体组成和对料的发光性能的影响，通过不同工艺参数和组成对比，获得最佳的制备工艺和组成含量。 对掺杂Tb3+的ZGS玻璃陶瓷的相组成和发光性能进行了检测。XRD结果表明：从700℃开始有纳米晶体形成，900℃烧结为最佳。当组成中n(Zn)/n(Ga)=0.58时样品获得只有ZnGa2O4晶体分布在无定型SiO2玻璃基体的玻璃陶瓷。Tb3+位于ZnGa2O4晶体与玻璃相的交界处。激发光谱分析表明，掺杂Tb3+的ZGS玻璃陶瓷为Tb3+特征激发，最强激发峰为255nm，是Tb3+的4f-5d跃迁，次强激发峰为377nm，是Tb3+的4f-4f跃迁。发射光谱分析表明Tb3+的ZGS玻璃陶瓷呈现Tb3+的特征绿光发射，为Tb3+的5D4→7FJ (J=6，5，4，3)跃迁发射，最强发射峰位于545nm，属于Tb3+的5D4→7F5磁偶级跃迁。 掺杂Tb3+，Eu3+的ZGS玻璃陶瓷只表现出Eu3+的发光性能，为Eu3+的D0→7FJ (J=0，1，2，3，4)特征跃迁，最强发射峰为615nm，是红光发射，为5D0→7F2电偶极跃迁。可能的原因是少量的Tb3+没有掺入晶体中。 关键词：溶胶-凝胶法，Tb3+掺杂，镓酸锌，玻璃陶瓷，发光性能 Reparation and Photoluminescence Properties of Tb3+-doped ZnO-Ga2O3-SiO2 glass-ceramics Abstract The thesis describes the related theories of luminescent materials: introduces the spectral theory of the rare-earth ions, summarizes the luminescent progress and luminescence mechanism of rare-earth luminescent materials and progress and faced problems of commonly used preparation methods of the luminescent materials. Tb3+-doped ZGS glass-ceramics and Tb3+,Eu3+-co-doped ZGS glass- ceramics of luminescent materials were preparation by sol-gel method. Using thermal treatment (DTA-TG), X-ray diffraction (XRD) and fluorescence spectra (PL) test methods, analysis of effect on the nanocrystals composition and luminescent properties by the content of each composition. Contrast to different process parameters and composition of the content to get the best preparation process and composition of the content. The composition and luminescent properties of Tb3+-doped ZGS