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半导体材料测试与表征 —Raman光谱在半导体科学中的应用 参考文献： 1.蓝闽波.纳米材料测试技术[M] .华东理工大学出版社 ,2009.5 ,34~120. 2.周玉.材料分析测试技术[M].哈尔滨工业大学出版社 ,2007.8. 3.陈文哲.材料测试与表征技术的挑战和展望[J]. 理化检验, 2007 , 43(5):89~91.. 4.吴征铠，唐敖庆.分子光谱学专论，山东科学技术出版社，1999. 5.王斌,徐晓轩,秦哲,宋宁,张存洲.分子束外延n-GaAs/SI-GaAs薄膜材料的拉曼光谱研究.光谱学与光谱分析.2008,28(9):2013-2016. 材料测试与表征的作用和地位 成分 结构 制备 性能 性能测试 力学性能 物理性能 化学性能 结构表征 内容：材料成分分析、结构分析，也包括材料表面与界面分析、微区形貌分析以及缺陷等 一般原理：通过对表征材料的物理性质或物理化学性质参数及其变化的检测，分析测量信号获知材料成分、结构等。 材料结构表征的内容与基本方法 成分分析 结构分析 形貌分析 化学价键 分析 表面与界面分析 XRD、IR、Raman、XPS、AES XRD、ED、Raman、中子衍射 TEM、SEM、AFM、STM IR、Raman XPS、AES 20世纪 50年代 20世纪 70年代 现代 导电类型、载流子浓度、迁移率、杂质含量 层错、位错密度、夹杂和孪晶等 半导体薄膜的表面、异质结界面性质、薄膜材料的组分和结构分析 纳米级研究 半导体材料的测试与表征 电阻率、霍耳系数、磁阻、光电导、光吸收、 X射线衍射、金相观察 结电容技术、激光光谱技术、俄歇电子能谱、二次离子质谱和电子显微分析技术 测试 表征 拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息，并应用于分子结构研究的一种分析方法。 拉曼光谱 h ?? 基态E0 振动激发态E1 h?0 h?0 h?0 h?0 + ?? E1 + h?0 E0 + h?0 h(?0 - ??) 激发虚态 Rayleigh散射 Raman散射 拉曼原理 h(?0 + ??) E0 E1 E1 + h?0 E2 + h?0 h ?? h?0 h(?0 - ??) ANTI-STOKES ?0 - ?? Rayleigh STOKES ?0 + ?? ?0 Raman位移：Raman散射光与入射光频率差?? 表征分子振-转能级的特征物理量； 定性与结构分析的依据。 ?? 取决于分子振动能级的改变,与入射光波长无关； 拉曼位移、退偏振比 退偏振比 与入射偏振方向垂直的拉曼散射光强度 与入射偏振方向平行的拉曼散射光强度 退偏比可以提供有关分子振动的对称性及分子构型的信息。 激光拉曼光谱仪 单色仪 光电倍增管 高压电源 光子计数器 驱动电路 计算机 显示器 样品 激光器 凹面镜 经离子注入后的 半导体损伤分布 外延层的质量 Text Raman光谱在半导体科学中的应用 半磁半导体的组分 外延层混品的组分 载流子浓度 Raman光谱的应用举例 a 用拉曼光谱研究金刚石膜的生长过程： a生长2min样品的Raman光谱 b生长30min样品的Raman光谱 c生长1h样品的Raman光谱 d生长2h样品的Raman光谱 用CVD方法制备的金刚石薄膜 利用拉曼光谱来确定SP2/SP3键价比， 判定金刚石薄膜的生长情况及质量。 拉曼特征峰：1332cm-1 拉曼特征峰：1550cm-1 b 不同Si掺杂浓度的n-GaAs薄膜的Raman光谱研究 Si掺杂浓度不断提高，致使界面失配，位错不断地提高，造成内部应力也在不断的增大，原来的晶格振动平衡被破坏，四价Si替代了三价Ga致使谱线移动。 Thank you ！ * *