软考信息处理技术员教程重点知识点精讲(三).docVIP

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信息处理技术员 /rk/xxcl/index.html 软考信息处理技术员教程知识点精讲(三) 软考 HYPERLINK /rk/xxcl/index.html \o \t /_blank 信息处理技术员 HYPERLINK /rk/rjsp/index.html \o \t /_blank 在2017上半年开考,希赛小编给大家整理了一些信息处理技术员知识点精讲,以下是讲解有关主存储器。希望对所有学员有所帮助。 主存储器 1.主存记忆元件 主存储器按照存取限制可以分为RAM(随机存储器)和ROM(只读存储器)两种。前者既可以在线存(写)又可以在线取(读),后者只能在线取(读)。 (1)RAM记忆元件。RAM要求元件具有如下记忆特性:有两种稳定状态;在外部信号的激励下,两种稳定状态能进行无限次相互转换;在外部信号的激励下,能读出两种稳定状态;可靠地存储。 半导体RAM元件可分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类。二者的区别,是SRAM利用开关特性进行记忆,只要电源有电,它总能保持两个稳定状态中的一个状态。DRAM则除了要电源有电外,还必须动态地每隔一定的时间间隔进行一次刷新,否则信息会丢失。 (2)ROM记忆元件。ROM是一种非易失性器件,它所存储的信息用特殊方式写入,主要存储经常要用的一些固定信息。根据其物理特性可把ROM分为以下几类: ①ROM.又称为MROM(掩模型只读存储器),它采用二次光刻掩模工艺一次制成,制成后其内容不可改变。 ②PROM.即可编程的ROM,其元件有多种形式,最常用的是熔丝型的,它在出厂时各处熔丝都是完好的,均表示1.当用户需要将其中某位置0时,把对应处的熔丝烧断即可。PROM一经写好,存有0的位置就不可再改为1. ③EPROM.又称为可擦除可编程ROM,是一种可改写的ROM,目前用得较多的是浮动雪崩注入型MOS管。按照擦除方法的不同,可分为UVEPROM和E2PROM两种。 2.主存储器组成 主存储器主要由存储体、地址译码驱动电路、读写电路和时序控制电路等组成。 存储体是主存的核心,它由许多位集成在一个芯品上构成,再由一些芯片进行扩展,就构成容量更大的存储体阵列。常用扩展方式包括字扩展方式、位扩展方式和段扩展方式等。 一个地址码唯一地对应一个地址,将一个地址码变换成为驱动字线电位的逻辑电路,称为地址译码器。由于每条地址线上都挂有许多存储元电路,为能对它们进行有效驱动,在译码器输出端每条字线上都要加一个驱动器。 一个信号从发出到稳定,有一个过程,为了能进行有效读写,必须考虑这些信号之间的时间配合关系,即所谓的时序关系。管理这些时序关系的电路就称为时序电路。 3.主存工作模式 (1)SDRAM.又称同步动态随机存储器,是早期内存工作模式EDO的改进,该方式将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使得RAM与CPU共享一个时钟,以相同的速度同步工作。 (2)DDR SDRAM.又称双数据传输率同步动态内存,它使用了延时锁定电路,在时钟脉冲的上升沿和下降沿都能读出数据,速度在同样的时钟频率条件下是SDRAM的两倍。 (3)RDRAM.又称存储器总线式动态随机存储器,采用了超高时钟频率,还采用了串行模块结构--各个芯片用一条总线串接起来,前面芯片写满后,后面芯片才开始读入数据。 (4)XDR DRAM.又称极度数率动态随机存储器,是RDRAM的改进,主要采用了改进的串行模块架构、8倍数据传输率和FlexPhase技术等的新技术。 4.主存储器的主要指标 主存储器的性能,通常可以从以下几方面描述。 (1)每位成本。折合到每一位的存储器的造价,是存储器的主要经济指标。 (2)容量。通常用有多少个存储单元、每个单元有多少位来表示,也可用能存储多少字节来表示。 (3)存取速度。主存最重要的技术指标,一般包括下述内容。 ①访问时间。从启动一次访问操作到完成该操作所用的时间。 ②存取周期。两次连续地访问主存操作之间所需要的最短时间。 ③主存带宽。又称为数据传输率,指的是每秒钟访问的二进制位数目。 (4)信息的可靠保存性、非易失性和可更换性。 (5)可靠性。通常用MTBF来衡量。

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