电子电工极管放大电路复习题四套..docxVIP

复习三 三极管放大电路 一、选择题 1.晶体管能够放大的外部条件是（ ）。 a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 2.当晶体管工作于饱和状态时，其（ ）。 a 发射结正偏，集电结正偏 b 发射结反偏，集电结反偏 c 发射结正偏，集电结反偏 3.对于硅晶体管来说其死区电压约为（ ）。 a 0.1V b 0.5V c 0.7V 4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为（ ）。 a 0.1V b 0.3V c 0.5V 5.测得晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA,3.66mA和3.6Ma。则该管的β为（ ）。 a 40 b 50 c 60 6.反向饱和电流越小，晶体管的稳定性能（ ）。 a 越好 b 越差 c 无变化 7.与 锗晶体管相比，硅晶体管的温度稳定性能（ ） a 高 b 低 c 一样 8.温度升高，晶体管的电流放大系数（ ）。 a 增大 b 减小 c 不变 9.温度升高，晶体管的管压降|UBE|（ ） a 升高 b 降低 c 不变 10.对 PNP 型晶体管来说，当其工作于放