太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中-物理学报.PDFVIP

太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器理论模型中扩散效应研究 张镜水 孔令琴 董立泉 刘明 左剑 张存林 赵跃进 Diffusionpart interahertzcomplementarymetaloxidesemiconductor transistor detector model ZhangJing-Shui KongLing-Qin DongLi-Quan LiuMing Zuo Jian Zhang Cun-Lin Zhao Yue-Jin 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,127302(2017) DOI: 10.7498/aps.66.127302 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.66.127302 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2017/V66/I12 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 高功率微波作用下高电子迁移率晶体管的损伤机理 Highpowermicrowavedamagemechanismonhighelectron mobility transistor 物理学报.2016,65(16): 168501 /10.7498/aps.65.168501 铟锌氧化物薄膜晶体管局域态分布的提取方法 Extractionofdensityoflocalizedstatesinindiumzincoxide thin filmtransistor 物理学报.2016,65(12): 128501 /10.7498/aps.65.128501 退火温度和Ga含量对溶液法制备InGaZnO薄膜晶体管性能的影响 EffectsofannealingtemperatureandGacontentonproperties of solution-processed InGaZnOthin film 物理学报.2016,65(12): 128502 /10.7498/aps.65.128502 单轴应变SiNMOSFET源漏电流特性模型 AModelofchannelcurrentforuniaxiallystrainedSiNMOSFET 物理学报.2015,64(19): 197301 /10.7498/aps.64.197301 单轴应变硅N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管电容特性模型 A model of capacitance characteristic for uniaxially strained Si N-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor 物理学报.2015,64(6): 067305 /10.7498/aps.64.067305 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 66, No. 12 (2017) 127302 太赫兹互补金属氧化物半导体场效应管探测器 理论模型中扩散效应研究 张镜水 孔令琴 董立泉 刘明 左剑 张存林 赵跃进 1)(北京理工大学光电学院, 北京 100081) 2)(首都师范大学物理系, 北京 100048) ( 2017 年3 月1 日收到; 2017 年4 月5 日收到修改稿) 针对基于经典动力学理论传统模型中忽略扩散效应的问题, 通过对基于玻尔兹曼理论的场效应管传输线 模型的理论分析, 建立了包含扩散效应的太赫兹互补金属氧化物半导体(CMOS) 场效应管探测器理论模型, 研究扩散效应对场效应管电导及响应度的影响. 同时, 将此模型与忽略了扩散效应的传统模型进行了对比仿 真模拟, 给出了两种模型下的电流响应度随温度及频率变化的差别. 依据仿真结果, 并结合3 原则明确了场 效应管传输线模型中扩散部分省略的依据和条件. 研究结果表明: 扩散部分引起的响应度差异大小主要由 场效应管的工作温度及工作频率决定. 其中工作频率起主要作用, 温度变化对差异大小影