抗工艺变化的SRAM时序控制电路技术.pdfVIP

论文目录 4．4．复制位线分级和复制单元个数确定……………………………………．．32 4．5．仿真结果分析……………………………………………………………．．36 4．6．本章小结…………………………………………………………………．．40 第5章总结与展望…………………………………………………………………42 5．1．设计总结…………………………………………………………………一42 5．2．工作展望…………………………………………………………………．．42 参考文献……………………………………………………………………………．．43 图表目录……………………………………………………………………………一48 致谢………………………………………………………………………………………………………………50 硕士阶段获得的研究成果…………………………………………………………．．51 V 第i章绪论 第1章绪论 随着移动互联网芯片对低功耗和高性能的要求越来越高，移动互联网芯片对 宽电压低功耗静态随机存取存储器(SRAM)的需求也会随之不断增长。然而， 随着半导体工艺技术的发展，器件的工艺变化呈现不断增大的趋势，在低电压下 这种趋势变得更加明显。工艺变化的增大会给宽电压低功耗SRAM的设计带来 许多新的问题与挑战，其中一个重大的问题就是存在于SRAM读写裕度增大会 造成SRAM的性能出现严重下降，并导致额外的功耗浪费。针对这一问题，本 文深入研究了工艺变化对宽电压低功耗SRAM时序控制电路的影响。 1．1．研究背景及意义 现今，随着移动互联网的快速发展[1,21，以及云技术的出现【3，41，人们的日常 生活方式发生了重大改变。移动互联网应用于很多方面，但主要集中于与人类日 常生活息息相关的消费类移动市场，如人们更多使用移动终端登录网络社交平台 进行交流，使用平板电脑阅读书籍，通过移动终端处理各类邮件等。从目前的市 场发展趋势可以看出，随着移动设备性能的不断提高，传统计算机的应用市场正 在不断的被移动设备所侵蚀，特别是在近几年移动互联网技术的快速发展，移动 设备的市场份额更是呈现出爆发式增长，如图1．1所示。常规的移动互联网产品 通常包括智能手机、平板电脑、智能游戏机、智能手表等。从图中可以看出，移 动互联网产品的出货量在2020将达到数百亿量级，远远多于桌面互联网产品的 出货量。 伽m舢 移动互联网 如m舢 n ● 仉舢 Lj ● 咖 lOB+ m Units 100MM+ m 10MM+。 Units Units 1970 1980 1990 2000 2010 2020 图1．1计算市场增长情况 1．1the market Figure growth ofcomputing l 抗工艺变化的SRAM时序控制电路技术 存储器作为数据存储设备是移动互联网设备的重要组成部件之一，广泛应用 于