电力电子应用技术莫正康版主编.pptVIP

典型全控型器件 门极可关断晶闸管——在晶闸管问世后不久出现。 20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合——高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代。 典型代表——门极可关断晶闸管、电力晶体管、电力场效应晶体管、绝缘栅双极晶体管。 术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代。 一. GTR的结构和工作原理 在应用中，GTR一般采用共发射极接法。 集电极电流ic与基极电流ib之比为 ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 产品说明书中通常给直流电流增益hFE——在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。一般可认为 ? ?hFE 。 单管GTR的? 值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益。 二. GTR的基本特性 1、? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区 2、? 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff 此外还有： 1、??最高工作电压 UM GTR上电压超过规定值时会发生击穿 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo 实际使用时，最高电压UM取（1/2~1/3）BUceo。 2、?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半。 3、集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 也分为结型和绝缘栅型（类似小功率Field Effect Transistor——FET） 但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称电力MOSFET（Power MOSFET） 结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction Transistor——SIT） 电力MOSFET的种类 ?按导电沟道可分为P沟道和N沟道 耗尽型——当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道 增强型——对于N（P）沟道器件，栅极电压大于（小于）零时才存在导电沟道 ?电力MOSFET主要是N沟道增强型 电力MOSFET的工作原理 截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。 P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。 导通：在栅源极间加正电压UGS 当UGS大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电 。 ??静态特性 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性。 ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。 MOSFET的漏极伏安特性： 截止区（对应于GTR的截止区） 饱和区（对应于GTR的放大区） 非饱和区（对应于GTR的饱和区） 电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。 电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 开关时间在10~100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是电力电子器件中最高的。 场控器件，静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需一定的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大。 GTR和GTO的特点——双极型，电流驱动，有电导调制效应，通流能力很强，开关速度较低，所需驱 动功率大，驱动电路复杂。 M