模拟电子教学资料场效应晶体管.pptxVIP

§1.4. 1结型场效应管(Junction Field Effect Transistor) 1. 结型场效应管 箭头方向表示栅结正偏或正偏时栅极电流方向。D(Drain):漏极，相当c G(Gate):栅极，相当b S(Source):源极，相当eNfile:///G:\2\avi\2-8.avi沟道结型场效应管的结构动画(2-8) 牛牛文库文档分享ID2. 工作原理 结型场效应管通常工作在反偏的条件下。N沟道结型场效应管只能工作在负栅压区，P沟道的只能工作在正栅压区。N沟道结型场效应管工作原理：（1）VGS对导电沟道的影响：(a) VGS=0，VDS=0，ID=0file:///H:\2\AVI\2-9.AVI场效应管的工作原理(2-9) 牛牛文库文档分享(b) 0? VGS ? ? VP ?? VGS ?? ?耗尽层变宽工作原理(c) |VGS | =? VP ? ，导电沟道被全夹断VP(VGS(OFF) )：夹断电压VGS控制导电沟道的宽窄，即控制ID的大小。 牛牛文库文档分享ID工作原理（2）VDS对导电沟道的影响：VDS0 但 |VGD|=|VGS-VDS| | VP |. VDS增加，d端电位高，s端电位低，导电沟道内存在电位梯度，所以耗尽层上端变宽。 VDS?? ID ? 牛牛文库文档分享ID工作原理(b)| VGS- VDS | = | VP |