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256K并行存储器 FM1808 256K 位的并行存储器 特性 1256K 位的非易失性铁电随机存储器 组织结构为 32768*8位 读写寿命为 100亿次 掉电数据保存 10年 写数据无延时 先进的铁电技术制造 2对 BBSRAM 模组的优势 没有电池产生的不良因素 电路简化 可靠性高 真正的表面贴装方案 在潮湿 电击和防震方面优于 BBSRAM 模组 3与 SRAM 或并行 EEPROM 兼容 JEDEC 32K*8的 SRAM 或 EEPROM 脚位 70NS 访问时间 130NS 的周期 4 低功耗操作 工作电流为 25MA 待 机 电流 20UA 5 工业标准 工 业温度 -40 C to +85 C 8脚 ---DIP 和 SOIC 描述 FM1808是用 先进的铁电技术制造的 256K 位的 非易失 性的 记忆体 铁电 随机 存 储 器 FRAM 是 一 种 具 有 非 易 失 性 并且 可 以象 RAM 一样快速 读写 但 它 没有 BBSRAM 模组 系统 的 设 计复 杂 性 缺点 和 相关 的可靠性问 题 数据在 掉电可 以 保存 10年 高 速 写 以及 高 擦 写 次数 使得它比 EEPROM 或 其他非易失 性 存 储器 可靠性 更 高 系统更 简 单 在 系统操 作时 FM1808象 RAM 一 样 读 与 写的周期 相等 FRAM 具 有 非易 失 性 是 归 于 它 先 进 的 工 艺 不 象 BBSRAM 它是一款 真正的 非易失 性 记 忆体 有 SRAM 的 功能 但 没有 SRAM 的 缺点 FM1808的写 能力使得它 在 需要对非 易失 性 记忆体快速 读写的 状况下非常理 想 表面贴 状提 高 了新设计 的制造 能 力 工 业温度 -40 C to +85 C 引脚定义 深圳市宝安南路 3083号蔡屋围发展大厦 2204房 邮编 :518008 深圳市宝安南路 3083号蔡屋围发展大厦 2204房 邮编 :518008 描述 FM1808是用 先进的铁电技术制造的 256K 位的 非易失 性的 记忆体 铁电 随 机 存 储器 FRAM 是一种具 有 非易 失 性 并且 可 以象 RAM 一样快速 读 写 但它 没有 BBSRAM 模组 系统 的 设 计复杂 性 缺点 和 相 关 的 可靠 性 问 题 数据在掉电可 以 保存 10年 高 速 写 以及 高 擦 写次数 使得它比 EEPROM 或 其他非易失 性存 储器 可靠性 更 高 系统更 简 单 在 系统操 作时 FM1808象 RAM 一样 读 与 写的周期 相等 FRAM 具 有 非易失 性 是 归 于 它 先 进 的 工 艺 不 象 BBSRAM 它是一款 真正的 非易失 性 记 忆 体 有 SRAM 的 功 能 但 没 有 SRAM 的 缺点 FM1808的写 能力使得它 在 需要对非易 失 性 记忆体快速 读写的 状况下非常理 想 表面贴 状提 高 了新设计 的制造 能 力 工 业温度 -40 C to +85 C 读操作 读 操 作在 /CE的 下降沿 开始 这 时 地 址位 被锁 存 记忆体 周期 开始 一 旦 开始 一个 完整 的 记忆体 的 记忆 周期 必须 在 内部完成 即 使 /CE端 不 活跃 地 址 被锁 存 后 地 址 值 可 以 在 满足 保 持 时 间 参 数 的 基 础 上 改 变 不 象 SRAM 地 址 被锁 存 后 改 变地 址 值也 不 会影响 存 储器操 作 FM1808在 /OE脚为 低 电 平 时 驱动 数 据 总 线 如果 /OE在存 储器 访问时间 已 被 满足 的的 情 况下出 现 数据 总 线 直 到 有 效 值 出 现才会 被 驱动 这 个 特征 可 以 除去 无 效 数据 出 现 在 总 线 上 产生的 尖峰 减少 系统 消耗 电流 写操作 FM1808写 与 读 一样 有 一样 的时间间 隔 FM1808由 /CE和 /WE控 制写 操 作 地 址 均 在 /CE的 下降沿锁 存 /CE控 制写 操 作时 /WE 在 开始 记忆 体 周期 之前置 0 那就 是 说 当 /CE 下降 时 /WE 为 低 电 平 FM1808不 驱动 数据 总 线与 /OE 状 态 无 关 /CE控 制写 操 作时 记忆体 周期 由 /CE 下降沿 开始 /WE 信 号在 /CE 下 降沿降 落 因 此 记忆体 周期作为 读 开 始 数 据 总 线 在 /WE 为 低 之 前 由 /OE 的 状 态 来 确 定 /CE 和 /WE 控 制写周期在电 气参 数表 中描 述 写访问在 记忆体 周期 开始 同步 访 问存 储器 阵列 写访问在 /WE和 /CE端 的 上 升 沿 终 止 无