1.1常用半导有体器件.pptVIP

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 自由电子 施主原子 　　图 1.1.3　N 型半导体 二、 P 型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 　　在硅或锗的晶体中掺入少量的 3 价杂质元素，如硼、镓、铟等，即构成 P 型半导体。 +3 　　空穴浓度多于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 　　3 价杂质原子称为受主原子。 受主原子 空穴 图 1.1.4　P 型半导体 说明： 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示。 　　2. 杂质半导体载流子的数目要远远高于本征半导体，因而其导电能力大大改善。 (a)N 型半导体 (b) P 型半导体 图 　杂质半导体的的简化表示法 在一块半导体单晶上一侧掺杂成为 P 型半导体，另一侧掺杂成为 N 型半导体，两个区域的交界处就形成了一个特殊的薄层，称为 PN 结。 P N PN结 图 　PN 结的形成 一、PN 结的形成 1.1.3　PN结 PN 结中载流子的运动 耗尽层 空间电荷区 P N 1. 扩散运动 　　2. 扩散运动形成空间电荷区 　　电子和空穴浓度差形成多数载流子的扩散运动。 —— PN 结，耗尽层。 P N （动画1-3）