多孔硅及其材料.pptVIP

4.1 多孔硅发光的基本理论 基态：原子分子的稳定态，即能量最低状态； 激发态：原子分子中电子处于能量相对较高状态，非稳定态； 基态 跃迁 激发态 对于一个给定的电子态，势能相对于分子的构型变化称为“势能面” 。 基态和激发态的不同并不仅仅局限于能量的高低上，而是表 现在许多方面，例如分子的构型、构象、极性、酸碱性等。在构型上主要表现在键长上。 * 多孔硅发光的基本理论 分子在势能面间的“跳跃”过程称为跃迁，相应于电子从一个 轨道跳跃到另一个轨道。 辐射跃迁：即跃迁过程伴随着光子的放出，包括荧光和磷光过程； 非辐射跃迁：即跃迁过程没有光子参与，能量以热或者其他形式耗散，包括内转换、系间窜越等。 * 4.2 多孔硅的荧光特性 多孔硅的孔度与荧光波长的关系 荧光波长随多孔硅的孔度增加而移向短波段，即光子能量随孔度的增加而增大。 低孔度 无荧光发射； 60％ 近红外区 70％以上 荧光从红外区进入可见区； 80％以上， 橙光段 蓝移现象 多孔硅的电化学处理结束之后切断电源，继续在HF中进行化学腐蚀，这被称作开路腐蚀，光谱可以继续向短波波段移动； 或者化学处理结束后，将样品从HF溶液中取出后，光谱也会移向短波段。这是由于多孔硅的样品上吸附了大量的HF溶液，化学腐蚀依然在进行、这种现象称蓝移现象。 * * 多孔硅的荧光特性 荧光的退化与恢复。 多孔硅的荧光在空气中或氧气中不仅有篮移现象，它的发光强度也往往随时间的推移而变化。一般光强随时间增加而减弱，甚至淬灭；如果加温或有光照，这个退化过程进行得更快。 但是退化了的多孔硅经HF腐蚀，往往可以恢复部分发光强度；氮气中进行处理后也可以在一定程度上恢复荧光发射。 多孔硅荧光瞬态特性。 多孔硅荧光瞬态衰减过程不是一个简单的指数过程。 文献报道多孔硅红光的瞬态时间常数为10～100us量级，而蓝光的瞬态时间常数在1～10ns，相差3～5个量级。 * 在上述几种发光带中．最重要的是S带(Slow Band，它的衰变时间慢)，因为这种光可以通过电激发产生。 * 由于多孔硅自身的高活性，极易被氧化而失效； 研究人员对多孔硅进行表面修饰，修饰后的多孔硅发光效率、稳定性明显提升，在发光器件中的应用潜力大大提升； 研究人员发现，在多孔硅的表面覆盖或向多孔硅中填充金属、氧化物、金属盐、半导体、碳、硫等材料形成的复合材料有着独特的性能； 沉积物／多孔硅复合结构能够明显提高多孔硅的性能，基于复合结构的传感器稳定性更好、气体敏感性更好； 复合结构甚至会产生新的性能，例如氧化性物质／多孔硅结构展现出了作为含能材料的潜力。 多孔硅复合材料的优异性能，使其可以应用在传感器、含能材料、磁性器件、生物医学、锂离子电池、超级电容器等诸多领域。 * 5. 多孔硅复合材料及其应用 * 5.1 多孔硅复合材料的制备 模板法 模 板 法 是 一 种 非 常 有 前 景 的 复 合 材 料 合 成 方法，这种方法能够在保留模板原始尺寸和形状的前提下实现材料生长，多孔氧化铝、多孔氧化硅就是最常见的模板。多孔硅模板相对传统多孔模板有着明显的优势，不但与现有的硅工艺有良好的兼容性，而且多孔硅的孔径和表面形貌可以通过改变硅的掺杂浓度和类型、电化学腐蚀过程中的电流大小和氧化时间来实现精确调整。 可用于沉积纳米结构材料的方法有电镀法、无电沉积法、原子层沉积法、磁控溅射法等，采用不同的沉积方法或者同种方法的不同参数，都会导致沉积产物形貌的极大差异。 * 纳米材料与多孔硅的复合体系是引人注目的前沿领域，小尺寸效应、界面效应及量子尺寸效应导致产生许 多 奇 异 的 物 理、化 学 特 性。多孔 硅 复合结构因其特殊的量子尺寸结构表现出了优异的光、电、磁等性能使其备受研究人员的青睐，在各个领域的潜力都得到了充分的开发。 5.2 多孔硅复合材料的应用 锂离子电池 Si被视为 最 有 前 景 的 Li电池 阳 极 材 料 之 一，因为其比容量比石墨高10倍； 含能材料 多孔硅自身并不具备爆炸能力，但是向多孔硅中填充氧化性物质，采用激光点燃，就能够发生燃烧或者剧烈爆炸。用于填充的氧化性物质中常用的NaClO4、硝酸盐以及硫粉等， 传感器与微结构 由于多孔硅的多孔性,气体进入多孔硅会改变其介电常数.借助这一原理可以用多孔硅作气敏,湿敏传感器和离子敏感场效应晶体管.工艺是正在多孔硅上蒸铝,光