基于半导体光刻工艺的光纤阵列头FA的制作工艺流程.DOCVIP

基于半导体光刻工艺的光纤阵列头（FA）的制作工艺流程 前言 这种工艺方法相比于传统的利用机械加工的V型槽基片，成本上要更加低廉， 精度更加高，大批量生产更能够降低成本。本人从事工艺的研究与制作只有两年 半的时间，这里只是对工艺流程进行大概的介绍，工艺上还有许多细节地方需要 进行调整。希望对阅者起到一定的帮助，也希望阅者能够提出自己的工艺经验， 以便使这种工艺更加完善，为我们国人服务。 流程大纲 基片的选择与清洗 基片镀膜 甩胶坚模 光刻、显影 图像刻蚀 划片、清洗 光纤定位封装 光纤断面研磨（8°角）、抛光 一. 基片的选择与清洗 首先基片的基本材质主要选用石英玻璃（SIO2）,基片要求平整，厚度误差应小于±5微米。基片表面洁净，应经过弱酸处理。基片厚度可以根据产品需要自行选自，但应注意光刻时整体厚度的调整。由于要在基片表面镀膜，因此基片表面洁净度很重要。清洗主要用安利、洗洁精等洗涤剂进行浸泡，然后揉搓擦洗，后经过大量清水冲洗，最后用蒸馏水进行清洗并用洁净气体吹干或用旋膜仪甩干表面的水迹。清洗过后的基片表面应无任何印迹水渍。若没有达到要求应重新清洗。最后清洗完毕的基片应密闭存放，并且在镀膜前放入烘箱内90℃ 二．基片镀膜 考虑到生产成本的降低，溅射台的反应室尺寸应该尽量大，这样一次放入反应室的基片个数也会较多。溅射时的气体流量控制，真空度的多少，溅射时的电流电压控制都应根据设备的不同来进行参数的设定。溅射所用到的靶应根据湿刻液的不同以及刻蚀时间、效果的不同来进行选定。溅射完毕后的基片要求膜层质地均匀，吸附性闹靠，表面没有大的颗粒杂质。（具体操作流程这里就不做详细的介绍了）（什么是离子溅射镀膜？ ??? 在阳极与阴极之间使用合适的气体（常用的是氩气）和电压，当出现辉光放电时，阴极材料在气体离子的轰击下将侵蚀目标材料，这个过程就叫离子溅射。其结果是溅射出来的原子（阴极材料）将在样本（通常样本固定于阳极上）表面形成一层薄膜，均匀分布在样本的表面。 阴极材料通常使用金，习惯称之为金靶。） 三． 甩胶、坚模 镀膜完毕后的基片也应放入封闭的容器内保存，防止空气中的颗粒杂质落在上面，影响光刻图形的完整性。将镀膜后的基片拿进光刻室（甩胶过程应在百级以上的超净间内完成），双手带手套或者指套进行甩胶的操作。甩胶主要用到旋膜仪，摔跤前选择好合适的基片托片，将基片放在托片上打开真空开关，设定好适当的转数和时间，滴胶后打开启动开关开始旋膜。旋膜完毕后将甩胶后的基片放入不透光的密闭容器内进行存放。所有基片甩胶结束后，将存放基片的密闭容器放入烘箱内进行烘烤。烘烤结束后取出并让其自然冷却。 四 光刻、显影 将前烘后的基片拿进光刻室，进行光刻操作。光刻前光刻机的预热是必要的，主要让光刻机的汞灯充分点亮。光刻时根据基片的所需规格选择合适的掩膜板，光刻前认真擦洗掩膜板的正反两面，以免研磨板上的小颗粒掩盖住图形，影响曝光质量。曝光的时间跟据汞灯的光功率以及光刻胶的不同来进行设定，曝光时间过长或不够都会对图形质量造成影响。光刻时应尽可能多的让图形完整的覆盖在基片上，特别注意定位标的对齐，为划片提供清晰的定位标准。光刻完毕之后马上进行显影的操作，显影液一般光刻胶的厂商都会提供，自己也可以根据需要自行配置相同化学成份的显影液。显影时特别要注意显影时间，通过观察确定显影的时间段，避免过显影和显影不足。显影完成后应将显影液去除干净，保持基片表面的图形整洁。显影结束后将基片放入容器中密封保存，再次放入烘箱内进行烘烤。烘烤结束后取出容器，将其自然冷却，最后进行图形的湿刻处理。腐蚀液的配置应根据溅射膜层材质来进行配置。其目的是将光刻显影后溅射的膜层去除掉，得到我们所需要的图形。湿刻过程中同样要注意时间段的确定，湿刻过程的好坏直接关系到光纤阵列（FA）的质量好坏（图形精度方面）。湿刻完成后也应保证基片表面洁净无大的颗粒，并放入容器内密封保存。 五．图像刻蚀 刻蚀工序主要在离子刻蚀机内进行，将湿刻完毕后的基片放如离子刻蚀机 的反应室内，按照设备操作流程进行操作。注意基片的摆放规则与技巧，刻蚀结束后将基片放入腐蚀液中继续腐蚀知道整块基片变成透明状为止，将基片清洗干净并吹干后放入密闭容器内存放，整个刻蚀工艺完成。然后用台阶仪对图形的宽度与深度进行测定，看是否到达要求。若存在误差必须根须分析调整工艺的各个步骤，这个过程是一个繁琐的过程，由于整个工艺的时间较长所以需要长时间的反复调整，以达到最后的质量要求。 六. 划片、清洗 用划片机将刻蚀完成后的基片，按照模版的定位标志将基片切割成最后的FA基片，根据基片的材质不同应选择不同的刀片