功率器件热设计概述.PDF

功率器件热设计概述 文/ icesnow (富士康科技集团 CMMSG 事业群 Server RD) 摘要：功率器件是多数电子设备中的关键器件，其工作状态的好坏直接影响整机 可靠性，功率器件的热设计是整个电子设备散热的关键之一。本文简单概述了功 率器件的定义、应用及发展趋势，并详细分析了功率器件的冷却方式及其散热计 算方法。 关键词：功率器件 热设计 热阻 1 功率器件概述： 热设计 功率器件即功率半导体器件(power semiconductor device)，也称电 力电子器件。因为从上世纪六七十年代至八十年代初，功率半导体器 件主要是可控硅整流器(SCR) 、巨型晶体管(GTR)和其后的栅关断晶 闸管(GTO)等。它们的主要用途是用于高压输电，以及制造将电网的 380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机 运行的电机调速装置等，这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。 因此，当时我国把这些器件的总称“power semiconductor devices ”没 有直译为“功率半导体器件”，而是译为“电力电子器件”，并将应用 这些器件的电路技术“power electronics ”译为“电力电子技术”，而 不是“功率电子学”。 20世纪80年代以后，功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。功 率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管( 功率 MOSFET ，常简写为功率MOS) 、绝缘栅双极晶体管(IGBT) PFC （Power Factor Correction）控制器、AC/DC及DC/DC模块以及功率 热仿真 集成电路(power integrated circuit: power IC或PIC)为主。 如今，在银盒(Silver-box) 电源、电信/服务器电源、感应加热应用、 UPS 、汽车电子、PDP TV 、LCD TV等领域，能承载较大功率的功率 器件得到了广泛应用。与消费电子应用不同的是，工业、通信和汽车 电子用大功率器件对可靠性提出了更高要求。正如飞兆半导体高功率 产品部副总裁 Taehoon Ki 所指出的：“高可靠性、节能(能耗更低、 能效更高) 、高性能、小尺寸、符合RoHS指令应是大功率器件的未来 发展趋势。” 2 功率器件的冷却方法 一般地说，功率器件的功耗大多在1W以上。并且功率器件是多 数电子设备中的关键器件，其工作状态的好坏直接影响整机可靠性， 功率器件的热设计是整个电子设备散热的关键之一。 功率器件热设计主要是防止器件出现因过热或温度交变引起的 热失效，可分为器件内部芯片的热设计、封装的热设计和管壳的热设 计以及功率器件实际使用中的热设计。 器件内部芯片的热设计、封装的热设计和管壳的热设计是在生产 工艺阶段进行的，也即器件的封装热设计，是器件热设计的关键部分 之一，由于篇幅所限，本文从略。 功率器件实际使用中的热设计，即器件的冷却（或散热设计，或 外部热设计）。 热设计 图.1 功率器件热设计 功率器件常用的冷却措施有加散热片（自然冷却和风冷）、冷板、 液冷、热电制冷等，其原理示意图如图.2～图.8所示。热设计时可以 根据热流密度的大小选用合适的冷却方式，各种冷却方式的热流密度 及单位传热面积的最大功耗分别如图.9和表.1所示。 图.2 加散热片冷却 图.3 冷板冷却 图.4 集成冷板冷却 热设计 图.5 液体喷雾冷却（有相变） 图.6 液体喷射冷却 图.7 液体喷射加散热片冷却 图.8 热电制冷 表.1 常用冷却方式单位传热面积的最大功耗 冷却方式