施敏半导体器件物理详尽版.ppt

减小界面态的方法除了氢气退火外，还可用金属后退火工艺，在金属后退火温度下活性栅材料（铝）会在氧化层表面与水蒸气反应，释放出氢原子，它会通过二氧化硅层与悬挂键结合，从面减小界面态密度。 界面态能量分布和退火前后界面态密度比较 电离陷阱 固态器件中辐射损伤一直是航空和军事应用上碰到的主要问题。有些损伤会直接导致失效，而更多的可能使器件和系统退化，影响其性能和使用。 辐射损伤的主要过程：首先在氧化层中产生电子-空穴对，其一部分会立刻复合，剩余部分在氧化层中电场作用下分离，电子和空穴沿相反方向加速，由于电子的迁移率比空穴大，电子会迅速离开氧化层（纳秒数量级），而空穴由于跃迁一段时间后到达Si-SiO2界面，它会与来自硅的电子复合或在深能级处被陷住，一旦陷住后，就类似于固定电荷（称之为电离陷阱）。同时，辐射还能增加界面态。 热退火可以很容易地去除如离子注入、电子束蒸发、等离子溅射等工艺过程中的辐射损伤，但制备后的器件中实际恢复是相对有限的，因此更可取的方法是对器件进行“加固”。 例如：栅氧化温度低于1000℃来加固氧化层，使辐射的敏感度降低。铝屏蔽加固可阻止大多数空间带能粒子，并增大MOS场效应管的阈值电压，减弱辐射造成栅电压变化对阈值电压的影响。 7.2 表面势 我们已经对Si-SiO2