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新型奈米Cu@C核壳散热材料-台北城科技大学机械工程学系
奈Cu@C 料
立
CMP 奈 (52%)離 (48%) 利
糖 CMP
粒 奈Cu@C 粒XRD 金 Cu(0)(金 零
不TEM/SEM Cu@C 粒 7 1480 nm
奈 (14 nm)Cu@C (5%) (Y-500)
數 (W/mK)40% 粒 (7 nm) (80 nm)
數 10~30% Cu@C (850 /kg)
CPU更利 易
C 奈金數 降劣
率率
路
來若度不
金度 ECR
(BPSG Reflow) Spin-on glass
CMP利
CMP slurry 5~10%30~100奈
CMP度 奈粒 金 離
() CMP量奈
(52%)離(48%)
理 理 理 奈
CMP 粒
量降 率泥
理量 泥量 數
度不
利糖(polyglucose)離
奈粒 7~30 奈(narrow size distribution)
(stability) 奈領例
奈流 奈
力
糖 CMP 離
奈 Cu@C CPU TIMs(thermal
interface materials)行
3.1 CMP
(oxide CMP slurry)金
(metal CMP slurry) 兩類 1
1
Metal CMP Oxide CMP
pH 2.92 8.7~9.39
度(umho/cm) 66.2~115 104~138
度(NYU) 59~77 100~140
粒粒(um) 0.19 0.17
TOC(mg/L) 3.6~10.8 1.49~2.99
(mV) -1.7 -47.6
量
( )
3.2 糖
糖糖利
糖不 金
例來 CMP 離
3.3 奈
奈
力Eastman ethylene glycol 0.3% 奈
40% 率
奈金
例力
便 奈不
3.4
度量 CPU
臨 CPU TIMs(thermal
interface materials)量 CPU
1
1 CPU
2003 年2008 年 CPU 量 21W 30W(+40%)
80W 140W(+75%)
DVD 都 良 TIMs
行 TIM 3~5 W/mK TIM 奈
8~10 W/mK 率率 3
W/mK TIM 1200~5000 3~4 W/mK TIM
10000~15000 率
TIM 2005 年 60
2008 年 90
利量數 ( 2)
奈2~10% (Y-500) (
3) 利 Thermal grease Test System
數
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