半导体器件原理.pptVIP

* * * Semiconductor Devices （2）GaAs MESFET结构 由于GaAs材料与Si材料相比，有以下几个优点：一是电子迁移率约高五倍；二是约两倍于Si饱和速度的峰值速度；三是衬底的半绝缘性以及可制作良好的肖特基结等。所以，长期以来GaAs MESFET在高频高速器件中占据着重要地位。 （3）JFET 因为PN结的自建势高于肖特基结，PN结的热稳定性也优于肖特基结。因而JFET的逻辑摆幅大于MESFET，且抗噪声能力强。所以，GaAs JFET可用于高速低功耗电路中。 * * Semiconductor Devices （4）V型槽JFET V型槽JFET是一种非平面结构的场效应器件。 首先在P+衬底上外延生长（100）的N型外延层，以形成P+N结；接着在N型层上扩散一薄N+层，形成漏源接触区。然后采用各向异性腐蚀法，腐蚀出V型槽。槽边与水平面成54.70。因此，腐蚀深度随槽宽的不同而自动停止在不同的深度上。两边的V型槽是用于沟道间相互隔离的隔离槽，中间的V型槽是沟道槽。 由于V型槽JFET的有效沟道长度远小于栅长L，因而其导通电阻变小，跨导增大。器件工作在饱和区时，VFET的夹断点在靠近沟道的中点，而不在漏端，因此，V型槽JFET的器件性能优于平面JFET。 * * Semiconductor Devices §4.6 异质结MESFET 1．高电