第1章电路和电路元件..ppt

(2) 0 UGS UGS(th) 由栅极指向衬底方 向的电场使空穴向下 移动,电子向上移动。 UDS SiO2 G D S B 结构示意图 P型硅衬底 N+ N+ ID = 0 UGS 在P型衬底表面形 成耗尽层。 第1章 上页 下页 返回 (3) UGS UGS(th) 栅极下P型半导体表 面形成N型导电沟道。 当D、S加上正向电压 后可产生漏极电流ID 。 N+ N+ SiO2 G D S 耗尽层 B P型硅衬底 UGS N型导电沟道 ID 第1章 上页 下页 返回 UDS 由上述讨论可知: UGS愈大，导电沟道愈厚,在UDS电压作用下,电流ID愈 大。即通过改变电压UGS的大小可以改变漏极电流ID的 大小。 随着栅极电压UGS的增加，导电沟道不断增加的场效 管称为增强型场效应管。 场效应管只有一种载流子参与导电,故称为单极型晶 体管。普通晶体管中空穴和电子两种载流子参与导电 称之为双极型晶体管。 上页 第1章 返回 下页 上页 第1章 返回 下页 0 UDS/v 10 20 1 2 3 4 ID / mA UGS = 0 V UGS = -1 V UGS = -2 V UGS = 1 V 可变电阻区 线性放大区 N沟道耗尽型MOS管的特性曲线 ID/mA 0 UGS/V -2 1 2 UDS = 10 V IDSS 输出特性 转移特性 1.6.2 特性曲线和主要参数 上页 第1章 返回 下页 增强型MOS管的转移特性 NMOS管 PMOS管 UGS 0 ID UGS（th） UGS 0 ID UGS（th） 主要参数 上页 第1章 返回 下页 夹断电压UGS(off)：是耗尽型场效应管当ID为一微小电流时的栅源电压。 * 最大漏源击穿电压U(BR)DS:漏极和源极之间的击穿电压。 * 最大漏极电流IDM，最大耗散功率PDM 。 * 低频跨导gm：在UDS为某一固定值时，漏极电流的微小变化和相应的栅源输入电压变化量之比。 * 栅源直流输入电阻RGS：栅源电压和栅极电流的比值。 * 开启电压UGS(th)：是增强型场效应管当漏源之间出现导电沟道时的栅源电压。 * 饱和漏电流IDSS：耗尽型场效应管在UGS=0的情况下，当漏源电压大于夹断电压时的漏极电流。 * 第1章 上页 返回 简化模型 B G S D 1.6.3 简化的小信号模型 S D ?UGS + – G gm ?UGS ? ID 由于MOS管的栅源输入电阻很大，故可认为 G、S间是开路的。 说明 * Note: 小写字母 i, u, p 表示瞬时值；大写字母 I, U, P 表示直流量 * * * * * 2.二极管的伏安特性 -40 -20 O U/V I/mA 60 40 20 -50 -25 0.4 0.8 正向 反向 击穿电压 死区电压 U(BR) 硅管的伏安特性 I/μA 第1章 上页 下页 返回 -20 -40 -25 0.4 0.2 -50 10 O 15 5 I/mA U/V 锗管的伏安特性 I/μA 死区电压 死区电压：约0.5V 正向导通压降： 0.6V～0.8V 死区电压：约0.1V 正向导通压降： 0.2V～0.3V 反向电流IR 3. 二极管的主要参数 -40 -20 O I/mA 60 40 20 -50 -25 0.4 0.8 正向 反向 击穿电压 死区电压 U(BR) I/μA U/V 第1章 上页 下页 最大正向电流IFM 最高反向电压URM 最高工作频率fM 返回 - 第1章 上页 返回 下页 1.4.3 二极管的电路模型 1.二极管的工作点 R ＋ ＋ D - U 工作点： Q U = – RI UQ IQ Q I U O 第1章 上页 返回 下页 二极管的静态电阻和动态电阻 静态电阻： UQ IQ RD = I U UQ IQ Q ? I ? U O 动态电阻： 第1章 上页 返回 下页 2.二极管特性的折线近似及模型 O + － UON Di O Di 稳压管是一种特殊的二极管，具有稳定电压作用。 特点: (1)反向特性曲线比较陡 (2)工作在反向击穿区 1.4.4 稳压二极管 第1章 上页 下页 返回 DZ 阴 极 阳 极 I/mA U/V 0 UZ IZ Ui R ＋ - ＋ - DZ RL ＋ - UO I IL IZ UZ 稳压管的主要参数: 第1章 上页 下页 稳定电压UZ：不同型号的稳压管其UZ是不同的，使用是注意选择 动态电阻rZ： rZ越小，稳压性能越好 最大允许耗散功率PZM：PZM≈UZIZM 一般情况:高于6V的αUZ为负,低于6V的αUZ