第1章_半导体元器件..ppt

第一章：半导体元器件 半导体的特性 本征半导体中的共价键结构 半导体中的两种载流子(一) 半导体中的两种载流子(二) 杂质半导体-N型半导体 杂质半导体-P型半导体 半导体内的电流 PN结的形成 PN结的势垒(一) PN结的势垒(二) PN结外加直流(缓变)正向电压时的电流 PN结外加直流(缓变)反向电压时的电流 PN结的伏安特性 PN结的温度特性 PN结的温度特性 二极管的特性：综述 二极管的特性：伏安特性曲线 二极管的特性：二极管的电阻 二极管的特性：二极管的主要参数 二极管的特性：二极管的SPICE模型参数 特种二极管：稳压二极管 特种二极管：肖特基二极管 特种二极管：光电二极管 三极管的结构和符号 三极管的工作状态 放大状态下的三极管：直流静态电流 放大状态下的三极管：结电压变化对电流的影响 放大状态下的三极管：截止状态下的三极管 放大状态下的三极管：饱和状态下的三极管 放大状态下的三极管：倒置状态下的三极管 三极管电流与电压关系的重要特点 共基极放大电路的放大作用 共发射极放大电路的放大作用 三极管的放大作用：结论 三极管的共发射极输出特性曲线簇 三极管的共发射极输入特性曲线簇 三极管的电流放大系数(一) 三极管的电流放大系数(二) 三极管的电流参数 三极管的输入电阻 三极管的输出交流电阻 三极管的极限参数 集成化元器件的特点 第四节：三极管 倒置状态下管内少子的运动规律及电流受结电压的控制规律和放大状态类似，但也存在不同： 发射极面积远比集电极面积小，收集电子的能力比集电结差很多 复合电流在总电流中所占的比例相对放大状态大很多 第四节：三极管 三极管外加电压对电流的控制的机理不同于导体中电压对电流的控制 PN结外加足够大的反向电压时可使扩散电流消失；正常运用时，PN结外加正向电压时一般并不能达到使反向漂移电流消失的程度 由于管内同时有电子和空穴两种载流子参与导电，故称为双极型管 当PN结被加上不大的正向电压(小于文献中所称的导通电压 )时，扩散作用十分微弱，这就使得理论上的放大状态与截止状态的分界线、放大状态与饱和状态的分界线与实际情况有所不同 第四节：三极管 输入回路与输出回路以基极为公共电极，故为共基极放大电路 分析可知，该电路： 当输出回路所接的负载电阻足够大时，具有同相电压放大作用 没有电流放大作用 第四节：三极管 输入回路与输出回路以发射极为公共电极，故为共发射极放大电路 分析可知，该电路： 当输出回路所接的负载电阻足够大时具有反相电压放大作用，但略小于共基极放大电路 有电流放大作用 第四节：三极管 器件必须工作于放大状态，即发射结正偏，集电结反偏 为使电路有电流放大作用，输入信号电流必须是基极电流 为使电路有电压放大作用，输入信号电压必须施加于正偏的发射结；输出信号必须取自反偏的集电结 输出端所接的用于提取电压信号的负载电阻的值应足够大 第四节：三极管 当输出电压 较大时， 增大，电流略有增大，但变化不大 基区调宽效应 欧拉电压 当输出电压 较小时，电流 急剧减小，这是由于器件进入饱和区所致 第四节：三极管 时，集电结与发射结加上同样大小的正向电压，代表器件进入饱和区 时，代表器件处于放大区。由于此时 的变化对电流影响小，故用一条曲线就可近似代表整个放大区的情况 第四节：三极管 共发射极电流放大系数 集电极电流与基极电流之比 又分为直流放大系数和交流(微变，短路)放大系数 共基极电流放大系数 共基极时集电极电流与发射极电流之比 也分为直流放大系数和交流(微变，短路)放大系数 第四节：三极管 与 的关系： 直流电流放大系数也有上述接近关系 需要注意两者的取值范围 从输出特性曲线簇求取 第四节：三极管 集电结反向饱和电流 是发射极开路时集电结加反向电压，流过集电极与基极的电流 与二极管反向饱和电流的特点相同 穿透电流 此时集电结被加上反向电压，发射结被加上正向电压 推导可得，此时有： 第四节：三极管 共发射极连接时的输入电阻 此处主要讨论交流(微变)等效电阻 推导可得： 共基极连接时的输入电阻 可根据共发射极连接时的输入电阻导出： 第一节：半导体基础知识 物质的导电性能决定于原子结构的最外层电子： 导体一般为低价元素 绝缘体一般为高价元素或高分子物质 常用的半导体材料均为四价元素 半导体之所以能被用来制造电子元器件，不在于其导电能力处于导体和绝缘体之间，而在于其导电能力在外界某种因素作用下会发生显著的变化： 掺杂 热敏效应 光电效应 第一节：半导体基础知识 没有杂质且晶体结构完整的半导体被称为本征半导体 在晶体中，每两个原子都公用一对价电子，形成共价电子对，这种结构称为共价键结构 第一节：半导体基础知识 在热力学温度为0K且无外界其它因素激发时，价电子全部束缚