第三十二讲短的金属-氧化物-半导体场效应晶体管续.PDF

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2019-02-04 发布于天津
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第三十二讲短的金属-氧化物-半导体场效应晶体管续.PDF

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第三十二讲短的金属-氧化物-半导体场效应晶体管续

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo - - 第三十二讲 “短的”金属氧化物半导体场效应晶体（续） 11月20 ，2002 内容： 1. MOSFET按比例缩小阅读作业： P. K. Ko, “按比例缩小的途经。” 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  如果一个MOSFET 的其它尺寸不变而只缩短栅长，那么会发生什么?  当尺寸缩小时，MOSFET 的设计如何变化? 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. MOSFET按比例缩小 M O SFET 按比例缩小尺寸的几个推动因素：  更高密度的电路：SS ，M S ，L S ，VL S ，U L S ，RL S ，……  更高的性能：L I D τ switch  L V 更低的功耗： DD L 简单的按比例缩小包含了静电学的完整性以及产生的穿通（短沟效应的极端情况）： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 按比例缩小需要精明的方法：  恒定电场的按比例缩小  恒定电压的按比例缩小  综合的按比例缩小 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 恒定电场的按比例缩小按比例缩小保持纵向和水平反向电场的恒定。定义：按比例缩小因子S 1 参数按比例缩小因子器件尺寸（L, W,xox ） 1/S S 1/S