《大连理工大学2013年模拟电子线路复习》-课件设计（公开）.pptVIP

三、PN结V-I特性的表达式 理论分析证明，流过PN结的电流iD与外加电压vD之间的关系为 (3-2-3) ? 式中， IS为反向饱和电流，其大小与PN结的材料、制作工艺、温度等有关； VT=kT/q，称为温度的电压当量或热电压。在T=300K(室温)时， VT =26mV。这是一个今后常用的参数。 由式(3-2-3)可知， 加正向电压时，VD只要大于VT几倍以上，iD≈IseVD/VT，即iD随VD呈指数规律变化； 加反向电压时，|VD|只要大于VT几倍以上，则iD≈–IS(负号表示与正向参考电流方向相反)。 由式(3-2-3)可画出PN结的伏安特性曲线，图中还画出了反向电压大到一定值时，反向电流突然增大的情况。 3.2.3 PN结的击穿特性 由图3–11看出，当反向电压超过VBR后稍有增加时，反向电流会急剧增大，这种现象称为PN结击穿，并定义VBR为PN结的击穿电压。PN结发生反向击穿的机理可以分为两种。 一、雪崩击穿 在轻掺杂的PN结中，当外加反向电压时，耗尽区较宽，少子漂移通过耗尽区时被加速，动能增大。 二、齐纳击穿 在重掺杂的PN结中，耗尽区很窄，所以不大的反