基于RSD开关的集成模块初探-软件工程专业论文.docxVIP

独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研 究成果。尽我所知，除文中已经标明引用的内容外，本论文不包含任何其他个人或 集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体，均已在 文中以明确方式标明。本人完全意识到，本声明的法律结果由本人承担。 学位论文作者签名： 日期： 年 月 日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权 保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。 本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检 索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。 保密□ ，在 年解密后适用本授权书。 不保密□。 （请在以上方框内打“√”） 学位论文作者签名： 指导教师签名： 日期： 年 月 日 日期： 年 月 日 摘 要 脉冲功率技术是将功率在时间上进行压缩的一种功率变换技术，以高功率、大 电流、高电压和短脉宽为特点。随着现代工业上的发展，脉冲功率技术尤其是重复 频率技术在工业上的应用越来越多，半导体功率开关逐渐取代传统开关应用在脉冲 功率技术中。半导体功率集成可实现功率系统的高功率密度、高效率、高可靠性以 及低成本，是脉冲功率技术发展的重要方向。 RSD( Reversely Switched Dynistor ) 是一种新型高速大功率半导体开关器件，该 器件采用控制等离子体层触发的开通模式。器件开通后通流面积损失小，故其不仅 有高 di/dt 耐量，也可在短时间内开通大电流，均压问题小，可以方便串联。相对于 传统的晶闸管类器件，RSD 器件更适合在脉冲功率技术领域内应用。 本文首先以 RSD 器件为开关的脉冲电路为基础，将电路集成起来构成一个模块。 建立起模块的三维立体模型，通过有限元软件计算出其内部杂散电感值，对模块内 部各个器件的电感分布进行了分析和研究。将模块计算出的杂散参数导入到电路模 型中，通过电路仿真软件分析了模块内部电路参数对于输出电流 di/dt 量的影响。 本文还进行了实验研究，根据建立的三维模型制作了相同结构的模块并进行放 电实验，实验达到了仿真预期的效果。实验获得了在 1500V 下 8.85kA/μs 的电流上 升率，脉宽 1μs。研究结果为以后的更高层次的集成提供了参考依据。 关键词： RSD，脉冲功率，集成模块，高 di/dt，有限元 Abstract Pulsed power technology is a power conversion technology which compress the power in time, and features for high power, high current, high voltage and short pulse width. With the development of modern industry, especially the repetition frequency pulse power technology’s more and more applications in industry, semiconductor switches gradually replace the traditional switches in pulse power technology. Semiconductor integration can realize power system of high power density, high efficiency, high reliability and low cost, and it has become the important direction of pulse power technology. RSD (Reversely Switched Dynistor) is a new high-speed high-power semiconductor switching device; it adopts the principles of controllable plasma layer to turn on. The device has a small loss of flow area after the conduction, so it not only has high di/dt tolerance, but also can be turned on with large current in a short time. It has g