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Hight power semiconductor laser system
高功率半导体激光系统
S9xx ± 10-1000-F300/22-DK-QBH
特点：
◆ 出纤光功率1000W 以上
◆ 光纤芯径300m,NA0.22
◆ 波长905~985nm
◆ 光纤连接头：QBH
大族天成提供高品质的半导体激光器产
应用：
品，广泛用于工业加工、激光显示、医疗、科
研等多个领域。公司的核心业务是向固体激光 ◆ 焊接
器、光纤激光器的生产厂商和科研单位提供高 ◆ 切割
功率半导体激光器泵源模块，为有激光焊接、 ◆ 熔覆
熔覆、材料表面处理等需求的工业领域用户提 ◆ 科研
供高功率密度的光源模块和系统。
大族天成致力于高亮度光纤耦合半导体
激光器模块技术的开发，产品功率从十瓦到百
瓦级。波长覆盖可见波段到近红外波段，从
405nm 到1550nm，并可为客户定制特殊波长
或多波长产品。我们可以提供多种可选择的封
装形式和附加功能，并提供客户定制产品研发
和咨询服务。
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Hight power semiconductor laser system
典型性能 (25℃)
符号 典型值 单位
光学参数
输出功率 Pop 1000 W
中心波长 c 905~985 nm
24 小时功率稳定性 - 2 %
电学参数
阈值电流 Ith 0.7 A
工作电流 Iop 10 A
交流电压 Vinput 200-240 V
交流频率 Finput 50/60 Hz
光纤参数
纤芯芯径 dcore 300 m
包层直径 dclad 500 m
数值孔径 NA 0.22 -
铠甲直径 ø 13 mm
光纤长度
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