第九章 外延薄膜中的缺陷..ppt

闪锌矿(ZnS)结构也属于面心立方点阵, 其中的位错的柏格斯矢量也是?110?/2. 许多化合物半导体(包括重要的IIIV族半导体GaAs等)都具有这种结构. 在闪锌矿中, 60?全位错在相距远的面间进行I型滑移时, 可以产生两种悬键. Zn原子悬键和S原子悬键, 如图所示, 两种位错的符号不同, 左边的位错相当于从上面往下插入ZnS半原子面, 右边的位错相当于从下面往上插入ZnS半原子面, 因此位错芯部带有悬键的原子不同. 两种位错也可以通过适当的化学浸蚀显示出来. 在闪锌矿中, 全位错也可以分解为扩展位错, 其中可以包含内禀层错或外禀层错. * 纤锌矿(ZnS)结构属于密排六角点阵. 一些化合物半导体(包括重要的IIIV族化合物GaN等)具有这种结构. 纤锌矿结构由六角排列的原子面按AaBbAaBb次序堆垛而成, 其中A,B面表示Zn原子面, a,b面表示S原子面(图a). 侧视图(b)中黑点表示Zn(或Ga), 白点表示S(或N), 由侧视图可见, 上表面和下表面的极性不同. 但是, 六角排列面间距离和金刚石结构的(111)原子面间距类似, 如A和a面之间的距离是a和B面之间距离的三倍. 这主要是由于纤锌矿中的共价键仍然保持了正四面体结构. 图中也给出了I型滑移和II型滑移的位置. 图中还用了六角点阵经常使用的四个密勒指数的晶体学取向. 在俯视图中, AB, AC, AD等是全位错的柏格斯矢量, A?和?B是Shockley部分位错的柏格斯矢量. 在侧视图中表示出了全位错柏格斯矢量AB和Shockley位错柏格斯矢量A?和?B的投影. 纤锌矿结构的六角排列的(0001)原子面按Shockley位错的柏格斯矢量滑移后将从AaBbAaBbAaBbAaBb堆垛转化为AaBbAaBbCcAaCcAa堆垛(第三层A开始滑移到C, 它上面的B到A，等等), 其中包含两组金刚石堆垛AaBbCcAa即(AaBbCc和BbCcAa), 它常被称为双层错. 在层错上面和下面的堆垛AaBAaBb和CcAaCcAa都是密排六角结构. 纤锌矿结构的另一种包含单层错的堆垛次序是AaBbAaBbCcBbCcBb, 其中只有一组金刚石堆垛AaBbCc, 这种层错不能由滑移产生, 因为Bb面在上下两部分晶体中都有, 它只能在晶体生长过程中形成. 纤锌矿结构的位错也可以分解为扩展位错. * * 产生失配位错的驱动力来自薄膜应变能的降低. 即要对比系统处于有位错状态和无位错状态的能量,有位错状态的能量又与位错的多少和分布相关,所以需要先计算有位错状态的最低能量。 应变能和薄膜失配度f的平方成正比(和薄膜失配度f的正负无关), 和薄膜厚度h成正比. f小于零时, 薄膜的晶格横向上受压、垂直界面方向上受张, 立方晶格常数在垂直方向的增大值和横向缩小值之比就是泊松比(横向与纵向的形变系数比). 由此可见, 随着薄膜厚度的增加, 薄膜中的应变能将线性地增大. * 薄膜应变能随薄膜厚度h的增加而线性地增大, 而失配位错能随薄膜厚度h的增加以对数函数的形式慢速地增大, 由于前者的增加速度大于后者, 因此随薄膜厚度h的增加, 产生失配位错会从能量上不利转变为有利. * 如果薄膜厚度h很小, 以至于得出的?c值大于失配度f, 这说明此时还不需要产生失配位错, * * 这里的?是位错线和它的柏格斯矢量b之间的夹角(如60?位错的?是60?, 它可以分解为两个部分位错, 它们的?分别是90?和30?), ?是滑移面和界面的夹角,如(111)滑移面和(100)界面的夹角为54.7?. * 薄膜表面位错环均匀成核时先在表面(可以带有表面台阶)形成一个细小的半圆状位错环(图a), 它的柏格斯矢量可以是110/2或112/6. 这样的位错环可以在和表面斜交的{111}面上滑移扩展、直至在界面上留下一段失配位错(图b).柏格斯矢量为110/2的位错环扩展时不会在{111}面上产生面缺陷, 柏格斯矢量等于112/6的部分位错环扩展时会在{111}面上产生面缺陷(堆垛层错). 位错环的不均匀成核指薄膜表面缺陷引起的位错环成核，比如沉淀颗粒、芯片边缘等，他们引起的局部应力可以减小位错环成核的势垒。 由于位错环均匀成核的驱动力仍来自应变能, 因此薄膜厚度增大到一定临界值后, 产生位错环引起的应变能的降低会超过产生缺陷所增大的能量, 此时总能量可以随位错环的产生而下降. * 位错的增殖机制可以应用到薄膜中来使失配位错增多, 最简单的例子是穿过位错的增殖. 如图表示, 穿过位错在A点(离界面的高度是hP)被钉扎(a), 在应力场作用下穿过位错的处于滑移面上的AB线段开始滑移(b), AB线段的扩展在界面上留下一段失配位错的同时, 形成两段滑移位错B和C分别向左右运动(c),