第二章逻辑门电路..pptVIP

2）或非门 a.无用端接0，即地 b.与有用端并联 2.4 CMOS逻辑门电路 2.4.1 COMS反相器 （1）结构 TN管为工作管，N沟道MOS增强型场效应管，开启电压UTN 。 TP管为负载管（作漏极负载Rd），P沟道MOS增强型场效应管，开启电压UTP。 栅极g接在一起，作为输入端 ； 漏极d接在一起，作为输出端 。 电源UDD须大于两只MOS管的开启电压的绝对值之和 即UDD UTN +∣UTP∣ （2）工作原理。 当输入电压 为低电平“0”时，工作管TN因其UGS小于开启电压UTN而截止，负载管TP因其UGS小于开启电压UTP而导通。 工作管TN截止，漏极电流近似为零，输出电压 为高电平“1”。 当输入电压 为高电平“1”时，工作管TN因其UGS大于开启电压UTN而导通，负载管TP因其UGS大于开启电压UTP而截止，输出电压 为低电平“0”。 即电路实现反相器功能，工作管TN和负载管TP总是工作在互补的开关工作状态，即TN 和TP的工作状态互补，所以CMOS电路称为互补型MOS电路。 2.4.2 COMS与非门和或非门 1. COMS与非门Y=AB 2. COMS或非门Y=A+B 　　当输入信号为0时，与之相连的N沟道MOS管截止，P沟道MOS管导通；反之则N沟道MOS管导通，P沟道MOS管截止。 2.4.3 CMOS传输门和模拟开关 又称模拟开关，既可以传输数字信号，也可以传输模拟信号。 TP 图3-5-10 CMOS传输门及其逻辑符号 VDD C C vO/vI vI/vO vO/vI vI/vO C C TG C vO/vI vI/vO C TN 2.4.3　CMOS传输门和模拟开关 　CMOS传输门是由P沟道和N沟道增强型MOS管并联互补组成。 　　当C=0V，C=VDD时，两个MOS管都截止。输出和输入之间呈现高阻抗，传输门截止。当C=VDD，C=0V时，总有一个MOS管导通，使输出和输入之间呈低阻抗，传输门导通。 1.CMOS传输门 RON小于1kΩ，典型值为80Ω，漏极和源极之间相当于短路，输出等于输入。 即C=1时，传输门打开 C=0时，传输门关闭，输入和输出之间呈现出高阻抗状态，不能进行信号传输。 C=1时， 在整个输入电压范围-5V~+5V内，至少有一个场效应管导通。场效应管导通，漏源间的沟道导通电阻 2.CMOS传输门工作原理 3.CMOS模拟开关 2.4.4　CMOS电路特性及使用常识 　　CMOS电路以其低功耗、高抗干扰能力等优点得到广泛的应用。其工作速度已与TTL电路不相上下，而在低功耗方面远远优于TTL电路。 　　目前国产CMOS逻辑门有CC 4000系列和高速54HC/74HC系列，主要性能比较如下： 25 3 最高工作频率/MHz 6 9 2~6 54HC/74HC系列 80 90 3~18 CC4000系列 边沿时间/ns 传输延迟/ns 电源电压/V 系 列 表3-5-2 CMOS门性能比较 1.CMOS电路特性 　　(1) 输入电路的静电防护 　　措施：运输时最好使用金属屏蔽层作为包装材料；组装、调试时，仪器仪表、工作台面及烙铁等均应有良好接地；不使用的多余输入端不能悬空，以免拾取脉冲干扰。 　　(2) 输入端加过流保护 　　措施：在可能出现大输入电流的场合必须加过流保护措施。如在输入端接有低电阻信号源时、在长线接到输入端时、在输入端接有大电容时等，均应在输入端接入保护电阻RP。 2.CMOS电路使用常识 　　(3) 防止CMOS器件产生锁定效应 　　措施：在输入端和输出端设置钳位电路；在电源输入端加去耦电路，在VDD输入端与电源之间加限流电路，防止VDD端出现瞬态高压；在vI输入端与电源之间加限流电阻，使得即使发生了锁定效应，也能使T1、T2电源限制在一定范围内，不致于损坏器件。 　　如果一个系统中由几个电源分别供电时，各电源开关顺序必须合理，启动时应先接通CMOS电路的电源，再接入信号源或负载电路；关闭时，应先切断信号源和负载电路，再切断CMOS电源。 常用门电路，性能比较 名 称 优 点 用 途 TTL （晶体管-晶体管逻辑） 功耗较低、速度高，但对电源变化敏感，抗干扰能力不强。 中小规模集成电路、高速信号处理和各种接口应用。 CMOS （互补金属氧化物半导体器件） 功耗很低、工艺简单、集成度高、抗干扰能力强，但速度一般，对静电破坏敏感。 中小规模集成电路、自动控制系统、数字化仪表等。 ECL （射极耦合逻辑） 速度快、负载能力强，但工艺复杂、功耗大、抗干扰能力较弱。 中小规模集成电路、主要用在对速度要求较高的数