第四章离子镀膜.pptVIP

1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（1/4） （1）首先是在溅射与淀积混杂的基础上，由于蒸发粒子不断增加，在膜基界面形成“伪扩散层”。即膜基界面存在基片元素和蒸发膜材元素的物理混合现象：即在基片与薄膜的界面处形成一定厚度的组分过渡层。这种过渡层，可以使基片和膜层材料的不匹配性分散在一个较宽的厚度区域内，从而缓和了这种不匹配程度。对提高膜基界面的附着强度十分有利。 1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（2/4） 例： 直流二极型离子镀：银膜与铁基界面间可形成100nm厚的过渡层。 磁控溅射离子镀：铝膜铜基时，过渡层厚度为1-4?m。 而且负偏压越高，过渡层越厚。 1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（3/4） （2）离子轰击使基片表面形貌受到破坏，可能比未破坏的表面提供更多的成核位置，成核密度较高。由于这种特有的微观结构(形貌粗糙、缺陷密度高)，加之表面沾污物的清除以及阻碍扩散和反应成核的障碍层的破坏，也将为淀积的粒子提供良好的核生长条件。 1、对膜基界面的影响--可提高膜基界面的附着强度（4/4） 此外，膜料粒子注入表面也可成为成核位置。 较高的成核密度对于减少基片与膜层界面的空隙十分有利。这也是离子镀具有良好附着力的原因之一。 2、对膜的形态和结晶组分等的影响 在蒸发镀膜中由于几何阴影效应，使淀积膜呈柱状结构，导致岛沟的出现。而离子镀膜时，由于离子的轰击作用，使岛上的粒子向岛沟转移，能消除柱状结晶，减轻阴影效应。 且，随着基片负偏压的增高，轰击基片离子能量也将增加，这种消除柱状结晶的效应就越显著，这时，淀积的膜将是均匀的颗粒状结晶。 3、离子轰击对薄膜内应力的影响 薄膜内应力受离子轰击的影响也很明显。内应力是由那些尚未处于最低能量状态的原子所产生的。离子的轰击一方面迫使一部分原子离开平衡位置而处于一种较高的能量状态，从而引起内应力的增加；另方面，离子轰击使基片表面所产生的自加热效应又有利于原子的扩散。 因此，恰当地利用离子轰击的热效应或适当地进行外部加热，可使内应力减小，同时也对提高膜层组织的结晶性能有利。 通常，蒸发薄膜具有张应力；溅射淀积的薄膜具有压应力；离子镀薄膜也具有压应力。 4—4 离子镀的类型（1/2） 根据膜材不同的汽化方式和离化方式，可构成不同类型的离子镀膜方式。 1、膜材的汽化方式有： 电阻加热、电子束加热、等离子电子束加热、高频感应加热、阴极弧光放电加热等。 离子镀的类型（2/2） 2、气体分子或原子的离化和激活方式有： 辉光放电型、电子束型、热电子型、等离子电子束型、多弧型及高真空电弧放电型，以及各种形式的离子源等。 3、不同的蒸发源与不同的电离或激发方式又可以有多种不同的组合。 图4-3 离子镀的几种蒸发源 图4-4 离子镀过程中的各种离化方式 第四章 离子镀膜 4—1 离子镀原理 4—2 离子镀的特点 4—3 离子轰击的作用 4—4 离子镀的类型 第一部分：薄膜的获得 概述(1/2) 离子镀膜(Ion Plating)技术(简称离子镀)，是在真空蒸发和真空溅射技术基础上发展起来的一种新的镀膜技术。在真空条件下，应用气体放电实现镀膜，即在真空室中使气体或被蒸发物质电离，在气体离子或被蒸发物质离子的轰击下，将蒸发物或其反应产物蒸镀在基片上。 概述(2/2) 离子镀把辉光放电、等离子体技术与真空蒸发技术结合在一起，不但显著提高了淀积薄膜的各种性能，而且大大扩展了镀膜技术的应用范围。与蒸发镀膜和溅射镀膜相比较，除具有二者的特点外，还特别具有膜层的附着力强、绕射性好、可镀材料广泛等一系列优点，因此受到人们的重视，在国内外得到迅速的发展。 图(4-1) 离子镀原理 4—1 离子镀原理(1/4) 当真空室抽至10-4Pa 的高真空后，通入惰性气体(如氩)，使真空度达到1-10-1 Pa 。 接通高压电源，则在蒸发源与基片之间建立起一个低压气体放电的等离子区。由于基片处于负高压并被等离子体包围，不断受到正离子的轰击，因此可有效地清除基片表面的气体和污物，使成膜过程中膜层表面始终保持清洁状态。 pass 离子镀原理(2/4) 与此同时，镀材气化蒸发后，蒸发粒子进入等离子区，与等离子区中的正离子和被激活的惰性气体原子以及电子发生碰撞，其中一部分蒸发粒子被电离成正离子