基于azo晶种的zno纳米线生长及紫外光电特性研究-光学工程专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 摘要 摘要 ZnO 作为宽禁带半导体材料的代表，具有非常优异的光电特性，一直以来都 是材料研究领域的热点。尤其近年来对纳米结构 ZnO 材料的初步研究，发现其表 现出许多优于块材和膜材的性能，因此更是成为关注的焦点所在。另外，随着科 技的发展和人民生活水平的提高，关于紫外光的探测和在各个领域中的应用也越 来越受到世界范围内的关注，同时以 ZnO 为代表的宽禁带半导体材料在该领域表 现出巨大的研究潜力。因此本文在以往研究的基础上提出：在 AZO 透明导电晶种 薄膜上生长 ZnO 纳米阵列，之后对纳米阵列的紫外光电导特性进行研究。具体内 容包括以下三部分： 首先，运用射频磁控溅射法于高纯度石英基底上制备 AZO 透明导电膜以作为 晶种层。为了得到表面形貌良好、结晶度高，同时具有低电阻率和高透过率的薄 膜，课题对溅射时间、溅射功率、基底温度以及工作气压等工艺参数的影响进行 了系统研究。结果发现各个工艺参数对膜材性能的影响十分明显，并最终确定在 基底温度 300o、溅射时间 2 小时、工作气压 0.5Pa，并且溅射功率为 150W 条件下 薄膜结晶良好，可见光平均透过率达到 90%以上，方阻值可达到 50Ω/□，完全可 以满足实验要求，有助于 ZnO 纳米阵列的外延生长。 之后，采用低温水溶液化学法在 AZO 晶种层上进行 ZnO 纳米阵列的制备。为 了得到分布均匀、结晶度高，并且垂直于衬底生长的 ZnO 纳米阵列，实验中对生 长液浓度、生长时间以及制备温度等实验参数在一定范围内进行调整研究。表征 结果显示，在 Zn(CH3COO)2 和(CH2)6N4 混合溶液浓度为 0.05mol/L、生长温度 90℃、 水浴生长时间 4 小时条件下，ZnO 纳米阵列实现了垂直于衬底的高度取向生长。 此时，纳米线直径尺寸合适、分布均匀、结晶良好。对其光电性能测试发现，纳 米阵列 I-V 曲线的线性特征明显，同时具有很好的透过率。 最后在以上研究的基础上，就材料的紫外光电导特性进行系统研究。关于纳 米阵列紫外特性的研究过程是基于电极/纳米阵列/AZO 的三层垂直测试结构。研究 结果表明，纳米阵列的形貌差异、晶种差异，以及高温退火处理都会对其紫外光 电导性能产生显著的影响。最终研究结果显示，在 AZO 晶种上垂直于衬底生长的 纳米阵列，在 400℃退火处理后表现出优异的紫外响应特性。另外在 AZO 薄膜的 制备过程中发现，高氧氩比环境下得到的薄膜表现出高阻特性和紫外响应性能。 对其进行退火处理，研究不同退火温度下薄膜的紫外响应特性差异。结果显示， I 摘要 在 600℃退火处理之后，薄膜的紫外响应度较高并且响应较为迅速。 关键字：紫外光电导特性，AZO 薄膜，ZnO 纳米线，水溶液化学法 II ABSTRACT ABSTRACT With excellent optical and electrical properties, ZnO which is the representative of wide band gap semiconductor materials, has long been a focal point of materials research. Especially in recent years, studies on nano-structured ZnO materials found that its performance is better than many bulks and films. Consequently, these materials have attracted great attention of the world. In addition, with the advancement of the technology and peoples living standards, the UV detection and application in many fields are also more and more important. Meanwhile, ZnO showed tremendous potential in this area. Based on past studies, ZnO nano-arrays were grown on AZO thin films in this thesis, then the ultraviolet conductance of the nanoarrays were investigated. This thesis mainly includes the following three parts: Fir