基于cmos工艺的射频低噪声放大器的设计-集成电路工程专业论文.docxVIP

分类号U 分类号 U D C 密级 公 开 舅毋庐夕擎 硕士研究生学位论文 基于CMOS工艺的射频低噪声放大器的设计 申请人： 孙海听 学 号： 2131380 培养单位： 电子工程学院 学科专业： 集成电路工程 研究方向： 集成电路工程 指导教师： 窦雁巍副教授 完成日期： 2015年5月16日 万方数据 lillUlll lillUlll lllllUlliniihm川mII 中文摘要 Y2771 040 中文摘要 随着科学技术的不断发展，人与人之间的通讯方式已由有线转变为无线通讯。 射频，是一种高频电波，被广泛应用于无线通信领域。接收机作为无线通信领域 -中一部分，对其性能的要求非常严格。而低噪声放大器，是接收机的第一个单元 电路，也是非常重要的一个单元，决定着后续电路的很多性能的好坏。 本文通过对无线通信系统的分析，设计了使用双极型晶体管的低噪声放大器 以及使用MOS管的低噪声放大器，使用ADS2009软件对电路原理图进行仿真。 与双极型晶体管设计电路相比，使用MOS管设计的低噪声放大器具有稳定性好， 高增益，低噪声系数等特点。 电路采用TSMC 0．189m工艺尺寸进行设计，仿真结果表明：在3V电源供电 的情况下，使用双极型晶体管设计的低噪声放大器工作频率为1．575GHz，带宽大 于3GHz，噪声系数为4．703dB，增益为14．365dB；在1．8V电源供电的情况下， 使用MOS管设计的低噪声放大器稳定性良好，工作频率为1．575GHz，带宽大于 3GHz，增益为30．158dB，噪声系数为1．572dB。使用Cadence软件进行版图的绘 制。通过对比得到了最优设计方案：使用MOS管设计低噪声放大器，各项指标完 成较好，具有高增益、低噪声系数。 关键词：射频；低噪声放大器；增益；噪声系数 万方数据 AbstractAbstract Abstract Abstract With the continuous development of science and technology，communication between people has been transformed into a limited wireless communication．RF is a high-frequency radio waves，which is widely used in wireless communications．The performance requirements of receivers are very stringent，because receive is important part of the field of wireless communication．The low—noise amplifier，the first unit of the receiver circuit，is not only a very important element，but also determines the performance of many of the follow—up circuit which is good or bad． Through the analysis of the wireless communication system，using bipolar transistors and MOS transistors for low-noise amplifier design，by ADS2009 software． Compared with the circuit design by using the bipolar transistor,the design of low noise amplifier by using MOSFET has good stability,high gain，low noise figure and other characteristics． The circuit is designed by TSMC 0。1 89m geometries，and the simulation results showed that：under the supply of 3V，the operating frequency of using the bipolar transistor is 1．575GHz，bandwidth greater than 3GHz，the noise figure of 4．703dB，gain 1 4．365dB；Under the supply of 1．8V,using MOS tran