集成电路工艺 光刻与刻蚀工艺.pptVIP

1、在涂胶后的光刻胶薄膜中，溶剂质量一般占总质量的20－40％，而经前烘的光刻胶薄膜中一般只含有3－8％的溶剂。 2、如果光刻胶中的溶剂含量较高，显影时其溶解速度相应较快。对于正胶来说，就会导致非曝光区的光刻胶因溶解而变薄，使光刻胶的掩蔽能力下降。 3、前烘温度：过低＆过高，具体影响。P214。 通过曝光（可见光或其它射线），光刻胶在显影液中的溶解度发生改变，这是光刻胶的工作原理。 准分子：解释。P231。 1、对准：对准标记；自动对准机。芯片制造P155～6。 驻波效应：解释。P228。 曝光后烘焙（PEB）是另一种减小驻波效应影响的方法。尽管在机理方面仍存在一些争议，但它使脊状条纹平坦化的作用还是得到认可的。一般认为，经曝光和曝光后烘焙，非曝光区光刻胶中的感光剂会向曝光区扩散，从而在两区域边界形成平均的曝光效果。 光刻胶与显影液之间相互反应的特性在很大程度上决定了光刻胶的形状，控制了线宽的大小。此外，显影后留下的光刻胶图形将在后续的刻蚀和离子注入工艺中作为掩模，因此显影可以说是光刻工艺中最关键的步骤之一。 ，而通用显影液以氢氧化钠水溶液和主要成分为0.25M 四甲基氢氧化铵（TMAH）的溶液最常见 芯片制造：P170。 1、人工检验（1倍检验）：直射白光或高密度UV光下，晶片与光线成一定角度。全检； 2、100－400倍显微镜下：随机抽样。 3、高倍显微镜／SEM／AFM。 此外，自动检验。 经 UV 光学稳定后的光刻胶，其抗刻（腐）蚀能力可以增强40％。 1、经刻蚀或离子注入之后，已经不再需要光刻胶作为掩蔽保护层，因此可以将光刻胶从衬底表面除去，这一步骤称为去胶 2、以使用氧等离体为例，光刻胶通过在氧等离子体中发生化学反应，生成的气态CO、CO2和H2O可以由真空系统抽走。 1、使用更昂贵的材料：如将光波波长减小到157nm 要用到超纯硅和氟化物。 2、导致像差增加：只能通过更复杂的设计、更精确的镜片制造工艺来克服。 3、光刻胶本身有一定厚度，实际工艺过程中晶片表面也存在高低不平，为了把掩模版上的图形完美转移到光刻胶上，要求曝光系统具有足够的聚焦深度，特别是对于大直径晶片的生产。通常聚焦深度越大，越适合量产。？ 4、一般來說， 半導體業者會先嘗試調整NA來改善解析 度， 待聚焦深度無法符合量產條件時， 才會想要轉換波長更短的光源。這是因為每換一種曝光源，相關的設備如曝光機台、 光阻劑等皆需做相應的調整，會牽涉到大量的人力、物力及時間，困難度很高。有鑑於此，在進入更小線寬的微影技術領域前，如何善用目前的微影技術(含設備及材料)，又能進入奈米尺度，成為一個相當重要的議題。 施敏：P62。 相移掩模的基本原理是在光掩模版的某些透明图形上增加或减少一个透明介质层（称为移相器），使光波通过这个介质层后产生180?的相位差，与邻近透明区域透过的光波产生相消干涉，从而抵消图形边缘的光衍射效应，提高曝光分辨率。 此方法由IBM的M. D. Levenson等人在1982年提出。OPC的基本作法是，根据光学设备的参数和实际的光刻结果，对掩模做出系统性的形状校正，从而使得由于光的衍射和光刻胶曝光显影蚀刻后带来的非线性失真程度减小。OPC的基本方法又分两种，一种是基于规则的OPC；另一种是基于模型的OPC，其原理示意图见图4。基于模型OPC，利用光学模型对掩模图形进行光刻模拟成像，迭代优化校正目标图形形状。校正处理的核心是基于模型的掩模图形优化模块。为了保证系统处理的质量和 效率，需要选择快速高效的优化算法[4]。而基于规则的OPC需要先生成一组校正规则，然后根据掩模版图区域的形状来匹配规则，再根据规则对掩模做出校正。对基于规则的OPC来说，规则的生成有些类似于对特定单元作基于模型的校正，在规则的生成中也要用到大量的迭代模型计算。  1、显微镜观察时，若想增大NA值，孔径角是无法增大的，唯一的办法是增大介质的折射率η值。基于这一原理，就产生了水浸系物镜和油浸物镜，因介质的折射率η值大于一，NA值就能大于一。数值孔径最大值为1.4，这个数值在理论上和技术上都达到了极限。目前，有用折射率高的溴萘作介质，溴萘的折射率为1.66,所以NA值可大于1.4。2、在半导体工业中，人们预测193纳米浸入式光刻技术将取代157纳米光刻技术成为45纳米以下半导体生产的新一代光刻技术。早在2003年5月，Intel宣布放弃157纳米光刻机的开发，而将采用氟化氩激光器的193纳米光刻机的功能扩展至45纳米节点。这也正是浸入式光刻技术取得较好发展的结果，数值孔径为0.93的193纳米的镜头已经可以实现。紧随Intel之后，欧洲的ASML、日本的Nikon和Canon浸入式光刻机计划纷纷出笼。 1、光学曝光以其产出率高、分辨率高、成本低和操作简便的特点