基于fluent模拟的半导体厂洁净室氧气浓度研究-安全技术及工程专业论文.docxVIP

南开大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 南开大学学位论文原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所 取得的研究成果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文的研究成果不包 含任何他人创作的、已公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所 涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本 学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。 学位论文作者签名： 逛攫攫 2011年5月21日 非公开学位论文标注说明 根据南开大学有关规定，非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人申 请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文，公开学位论文本 说明为空白。 论文题目 口限制(≤2年) 口秘密(≤10年) 口机密(≤20 申请密级 年) 保密期限 20 年 月 日至20 年 月 日 审批表编 批准日 20 年 月 号 期 日 限制★2年(最长2年，可少于2年) 秘密★10年(最长5年，可少于5年) 机密k20年(最长lO年，可少于10年) 摘要摘要 摘要 摘要 为保证产品质量，半导体厂的生产需在洁净室内进行，同时在半导体制造 过程中，为了减少金属与空气接触，需要大量使用氮气作为保护气，因此可能 会产生部分区域缺氧问题。当空气中氧气含量过低时，会引起注意力减退、反 应迟钝、头痛恶心，甚至会导致丧失意识以及心跳停止和死亡。在以往对洁净 室的污染研究中主要关心有毒气体的危害而忽略了氮气造成的缺氧问题。因此 针对洁净室因通风系统不良，加上大量使用氮气而造成的缺氧问题，本文在介 绍了计算流体力学原理后，采用了目前应用广泛的FLUENT软件来模拟洁净室 内氮气的扩散，得到了氧气浓度分布图，并比较了两种方法对于改善洁净室内 空气质量的效果。 本文模拟了某半导体厂封装车间在三种工作条件下的缺氧情况：常规状态、 极端状态和双倍状态。在前处理软件GAMBIT中建立了洁净室及机台的三维模 型，并进行网格划分，然后在解算器FLUENT中设定相应的参数和模型分别对 三种情况进行了模拟，最后利用FLUENT自身的后处理功能和专业软件 TECPLOT得到了速度矢量图、氮气浓度分布图、氧气浓度分布图和缺氧区域 分布图，从而分析得出三种状态下洁净室内氮气扩散规律、缺氧区域大小和变 化情况。 为了研究洁净室空气质量改进方法，本文分别对于增加洁净室新鲜空气进 风口风速的方法和改变洁净室出风口位置的方法进行了模拟，并将结果进行了 对比。通过研究表明，增加洁净室进风速率的方法并不能有效的解决洁净室缺 氧问题，甚至可能会起反作用；而改变洁净室出风口位置的方法，能有效的降 低缺氧区域范围。 本文利用FLUENT软件进行了计算流体力学模拟，分析了洁净室内氮气运 动规律，并得到了缺氧区域的分布云图，从而为洁净室安全管理提供支持。另 外，对于减少缺氧危险方法的研究可以为洁净室以后的改造和设计提供指导， 从而保护工作人员的生命健康。 关键词：计算流体力学；FLUENT；半导体；洁净室；氧气浓度 AbstractAbstract Abstract Abstract To ensure the quality of products，the products of semiconductor plant have to be produced in clean room．And in the progress of semiconductor production,in order to reduce the metal in contact with ak,nitrogen is used as a protective gas，which may cause hypoxia problem．When the concentration of oxygen is too low,people may get impaired concentration．And if the concentration is lower,it will lead to headaches，nausea,10SS of consciousness and even cardiac arrest and death．In the previous research of clean room air,researches mainly focused on the pollution of poisonous gas，while neglcoted the problem of hypoxia caused by nitrogen．Due to the poor ventilation system and