基于bst铁电薄膜的微带型微波调谐器件研究-材料科学与工程专业论文.docxVIP

博士后出站研究报告 博士后出站研究报告 摘要 摘要 基于BST铁电薄膜介电调谐概念的微带型微波调谐器件，有望在未来微波 集成电路(MIC)和军用通讯中得到重要应用而得到国际上研究重视。本文从微 波测试、材料研究、器件设计以及器件制备四个方面进行研究。 采用AGILENT的网络分析仪器和CASCADE的微波芯片原位测试系统， 构建了材料与器件的微波性能测试系统。研究了共平面电容结构的电磁结构与等 效测试电路，给出了薄膜材料的微波测试结果。(有效的材料微波性能测试频率达 IGHZ以上：结合铁电材料的基本物理性能，间接的预示了20GHZ以下的性能： 介电和介电调谐性能变化平缓，但损耗将随频率逐渐增加，并且探讨了1 5GHZ 左右平面电容结构下的“伪驰豫”现象，指出了共平面电容测试薄膜微波性能的 局限行。、r／， 在(100)单晶MgO、LaAl03单晶基片上用PLD工艺沉积制备了高调谐率、 低损耗外延BST薄膜。采用XRD、SEM等手段表征薄膜的丛篓!堂堂和基本结构 特征，研究了不同Ba／Sr组分、基片温度、沉积氧压(P。2)、薄膜厚度、不同基 片等对薄膜外延结构与电性能的影响规律。着重探讨了Bao sSro sTiOJLaAl03外 延结构重沉积氧压对薄膜微结构和电性能的影响作用机制，并且指出其外延性能 和晶格畸变之间的内在矛盾特性√通过工艺优化，有效制备了500—1000rim范围 厚度的、适合集成微波器件应用的BST薄膜，其电性能主要指标：介电调谐率 ～50％，损耗小于l 5％，测试频率达20GHZ微波范围。 该性能达到国际最新发 表同类工作的水平。 参考美国NASA的年度报告中公开的器件设计图，采用SONNET三维电磁 工程软件，模拟和优化设计了共面微带型电调带通滤波器、谐振器、移相器件。 模拟探讨了薄膜介电性能、厚度、尺寸等对器件性能的影响规律。得到如下结论： BST薄膜的介质本征损耗小于1％时，介质损耗对器件信号的插入损耗几近忽略， 但大于5％的介质损耗将明显导致信号插入损耗；调谐BST介电薄膜的厚度贡献 主要在500—1000 niil，更低的薄膜厚度明显降低器件的调谐性能，但超过1000 nnl 的薄膜贡献将变得不明显。 V 在软件模拟设计的基础上，采用标准的半显笠当型三茎，通过制版、多层 金属电极溅射、光刻、腐蚀以及底电极形成等步骤，制备了一类的微带型带通滤 波器件原型。微波表征成功显示了器件的滤波和电调特性两个主要特性。 博士岳主站轩置撮昔 博士岳主站轩置撮昔 上謦交通大兰一承翌 致谢 首先裹心感谢导师吴建生教授提供我在交大继续敞博±后研芄的工作机会。吴老师始终 关心和支持翠人的博士后研究工怍，井为此剖遗许多条阵。没有吴老师的理解、芫一￡t、烹捧 和帮助，盎人不可能完成本支早安验研究工作。丧此谨商吴老师致以深深的谢惹。 迹要自裹感谢盂宰砉教授。盘工怍是在和孟老师舍怍下亮成的。盂老师不仅龟学术上美 心，探讨有关工怍，而旦提供陶瓷靶材制备、差片、以及介皂测试等等条件，最大限度地帮 助本人完成该研究工作。 由于内地实验条件限制，翠文实验号：的外廷薄膜制备、光剥工艺和微渡测试部是在香港 理工太掌应用物理系材料研兖丰．(=．_完成前。由裹她感谢应角物理系陈王丽垡教授、桑惠龙教 授提洪萃人在季港的工作机全。否则，支串实验难以完成。 再次感谢人事处沈涪科长、姚训副处长和毛大立处长和材科系扁平南书记辱领导的美心 和交旖。没有池们理解和支持我圭香嵩二怍．本人}荨士后研芄实验工作不可能顺利完成。 向一贯支持、关心和帮助我们的材料系办公耋的傅老师、毛老师、徐老师、升老师等致 以崇高的敬意： 感谢上海大掌奄亏：信思材料系的同掌和老9币仍，本人{荨士和博士后其闻始冬得到那些热 情的人们的帮助。尤箕是彭东文博士和陈海燕博士，他们帮助我壳成许多实验。 还有一件非常睾运的事情是和一个乃公室的岛清超博士、赵斌博士、张全成博士、徐寒 冰博±．张玉平j尊±等同事愉快相处丁2年，谢谢大家的帮助和支持! 博士后出站研究报告 博士后出站研究报告 第一童 第一章引言 1．BST铁电薄膜的介电非线性 电介质的基本功能之一是在电场(E)作用下感应并产生电极化fP)，通常有 如下定义： P2巳soE eo是真空介电率，￡，就是介质的相对介电常数。对于绝大多数电介质，其介电常 数与外电场无关，是一常数，这类电介质叫线性电介质。但是，还有一类电介质 的介电常数在外加电场的极化